[发明专利]一种CMP设备承载台表面的处理方法有效
| 申请号： | 201711130862.6 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107904646B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杨师;费玖海;张志军;李玉敏 | 申请（专利权）人： | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 杨静安 |
| 地址： | 100000 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 承载台 前驱 氧化液 稀土盐溶液 氧化膜 电流密度控制 二氧化硅磨料 阳极氧化处理 醋酸 硼酸 电化学性能 腐蚀性溶剂 耐腐蚀性能 表面形成 力学性能 耐溶剂性 热稳定性 研磨颗粒 丙三醇 氯化铵 铬酸 硫酸 配制 损害 | ||
1.一种CMP设备承载台表面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
(A)配制氧化液，所述氧化液由硼酸、硫酸、醋酸、铬酸、氯化铵、二氧化硅磨料和丙三醇组成；
(B)将CMP设备承载台面板采用稀土盐溶液进行前驱处理，所述稀土盐溶液中包括Ce(NO3)350-70g/L，Nd(NO3)340-60g/L，Ni(NO3)375-95g/和Y(NO3)315-45g/L；
(C)将经过上述前驱处理的面板采用所述氧化液进行阳极氧化处理20-60min，电流密度控制在1-3A/dm2，处理温度为30-40℃。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(A)中，配制的氧化液中，硼酸12-15g/L、硫酸5-8g/L、醋酸13-17g/L、铬酸9-10g/L、氯化铵5-6g/L、二氧化硅磨料4-7g/L和丙三醇20-40g/L。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(A)中，所述二氧化硅磨料的比表面积为60-150m2/g，RDA研磨性为30-90之间，折光率为1.44-1.50之间。
4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述二氧化硅磨料的比表面积为80-100m2/g，RDA研磨性为40-80之间，折光率为1.46-1.48之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(B)中，将所述面板浸泡在所述稀土盐溶液中1-2h，浸泡温度控制在90-100℃。
6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述稀土盐溶液的pH值控制在6-9之间。
7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述稀土盐溶液的pH值为8。
8.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，采用稀土盐溶液前驱处理后，去离子水清洗2-3次，80-90℃条件下烘干。
9.根据权利要求1-4任一项所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(C)中，阳极氧化处理后，在浓度为3-7g/L的重铬酸钾溶液中进行封闭处理。
10.根据权利要求9所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(C)中，重铬酸钾溶液中封闭处理15-35min后，在3-7g/L的醋酸镍溶液中再进行封闭处理30-40min。
11.根据权利要求10所述的处理方法，其特征在于，所述步骤(C)中，封闭处理的温度均控制在90-100℃之间。
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