[发明专利]封装结构

说明书

根据一些实施例，一种封装结构包括射频集成电路芯片、绝缘包封体、重布线路结构、天线、及微波导向器。所述绝缘包封体包封所述射频集成电路芯片。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体上且电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线设置在所述绝缘包封体上且经由所述重布线路结构电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线位于所述微波导向器与所述射频集成电路芯片之间。所述微波导向器具有微波方向性增强表面，所述微波方向性增强表面位于由所述天线接收或产生的微波的传播路径中。

技术领域

本发明实施例涉及一种封装结构。

背景技术

由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，此种集成密度的提高来自于最小特征的大小(minimum feature size)一再减小，此使得更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件与先前的封装相比也需要利用较小区域的较小的封装。半导体组件的一些较小的封装类型包括方形扁平封装(quad flat package，QFP)、引脚栅阵列(pin gridarray，PGA)封装、球栅阵列(ball grid array，BGA)封装等。目前，具有更大紧密度的集成扇出型(integrated fan-out，INFO)封装技术得到发展且用于各种封装应用中。

举例来说，利用集成扇出型封装来将射频集成电路(radio frequencyintegrated circuit，RFIC)芯片与集成天线封装在一起。然而，天线的性能仍需要改善。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种封装结构包括射频集成电路芯片、绝缘包封体、重布线路结构、天线、及微波导向器。所述绝缘包封体包封所述射频集成电路芯片。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体上且电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线设置在所述绝缘包封体上且经由所述重布线路结构电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线位于所述微波导向器与所述射频集成电路芯片之间。所述微波导向器具有微波方向性增强表面，所述微波方向性增强表面位于由所述天线接收或产生的微波的传播路径中处。

根据本发明的一些实施例，一种电子装置包括集成扇出型封装及壳体。所述集成扇出型封装包括射频集成电路(RFIC)芯片、重布线路结构、及天线。所述天线经由所述重布线路结构电连接到所述射频集成电路芯片。所述集成扇出型封装设置在所述壳体的内部空间中。所述壳体具有微波方向性增强表面，所述微波方向性增强表面位于由所述天线接收或产生的微波的传播路径处。

根据本发明的一些实施例，一种制作封装结构的方法包括至少以下步骤。形成封装阵列，所述封装阵列包括多个集成扇出型封装单元，其中所述集成扇出型封装单元中的每一者包括射频集成电路(RFIC)芯片、重布线路结构及天线，且所述天线经由所述重布线路结构电连接到所述射频集成电路芯片。在所述封装阵列上形成微波导向器阵列，其中所述微波导向器阵列包括多个微波导向器且所述微波导向器中的每一者位于所述集成扇出型封装单元中的一者上。执行单体化工艺，以将在所述封装阵列上具有所述微波导向器阵列的所述封装阵列切割成封装结构，其中所述封装结构的天线位于所述封装结构的射频集成电路芯片与所述封装结构的微波导向器之间。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1示意性地说明根据本发明一些实施例的封装结构；

图2示意性地说明根据本发明一些实施例的微波导向器的俯视图；

图3示意性地说明根据本发明一些实施例的封装结构；

图4至图16示意性地说明根据本发明一些实施例的一种制作封装结构的方法的工艺；

图17及图18示意性地说明根据本发明一些实施例的一种制作微波导向器的方法；