[发明专利]晶圆正面蒸金的方法在审
| 申请号： | 201711130964.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107887257A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;刘宇;李秀莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正面 方法 | ||
1.一种晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述晶圆正面蒸金的方法包括：
提供晶圆，所述晶圆的正面包括金属区和绝缘区；
形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述绝缘区和所述金属区的边缘部分；
形成金属层，所述金属层覆盖所述光刻胶层和剩余的所述金属区；
去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层。
2.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述绝缘区和所述金属区的数量为多个。
3.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述绝缘区和所述金属区的边缘部分包括：
在所述晶圆上淀积六甲基二硅胺蒸汽；
在所述绝缘区和所述金属区的边缘部分涂布第一层光刻胶，并进行软烘烤和全面曝光；
在所述绝缘区和所述金属区的边缘部分涂布第二层光刻胶，并进行软烘烤和对所述金属区的边缘部分进行曝光；
采用两次显影液处理所述光刻胶层。
4.如权利要求3所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述光刻胶层的侧壁与所述晶圆的正面构成一个锐角。
5.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层之后，所述晶圆的正面蒸金方法还包括：
对所述金属层进行研磨以平坦化所述金属层；
采用去离子水对所述晶圆进行清洗。
6.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，采用蒸发的工艺形成所述金属层。
7.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，采用剥离的方法去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层。
8.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述金属区的材料包括铝、铜和钨中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述绝缘区的材料包括氮化硅和/或氮化钛。
10.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述正面金属的材料包括钛、镍和银中的一种或多种。
11.如权利要求1所述的晶圆正面蒸金的方法，其特征在于，所述晶圆正面蒸金的方法用于MOS晶体管制造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711130964.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种背靠背变流器的自循环测试方法
- 下一篇：一种电流互感无线计时器及计时方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
