[发明专利]一种集成式激光电离效应模拟系统

权利要求书

1.一种集成式激光电离效应模拟系统，其特征在于：包括调整底座（I）、光源（II）、衰减与光束调整模块（III）、显微观察模块（IV）、测试与存储模块（V）；其中：调整底座（I）用于稳定支撑整个模拟系统；光源（II）及衰减与光束调整模块（III）用于产生特定波长脉冲激光，并根据实际实验需求对单脉冲激光能量进行衰减；显微观察模块（IV）用于对半导体器件测试样品（20）进行成像，并对作用于半导体器件测试样品（20）的脉冲激光进行能量测量；测试与存储模块（V）用于采集并记录半导体器件测试样品（20）辐射电离效应的响应电信号，通过控制精密位移平台来精确控制光斑作用于半导体器件测试样品（20）上的位置。

2.根据权利要求1所述的一种集成式激光电离效应模拟系统，其特征在于：所述调整底座（I）包含调平螺丝（1）和纵向安装于调整底座上的导轨（2），调平螺丝（1）用于调节调整底座（I）的水平位置，导轨（2）用于调整系统的高度。

3.根据权利要求1所述的一种集成式激光电离效应模拟系统，其特征在于：所述光源（II）包含脉冲激光器（3）和光路提升器（4），采用的脉冲激光器（3）可自由切换266nm、532nm或1064nm三种波段的脉冲激光；所述衰减与光束调整模块（III）包括衰减镜片模组、反射镜和遮光罩，脉冲激光器（3）、衰减镜片模组、反射镜均安装于遮光罩内；所述脉冲激光器（3）用于产生波长266nm或者532nm或者1064nm的单路脉冲激光，在空间位置上依次经过衰减镜片模组、反射镜。

4.根据权利要求1或3所述的一种集成式激光电离效应模拟系统，其特征在于：所述衰减与光束调整模块（III），用于对激光进行调整处理，具体结构包括：沿激光水平射入方向上的第一级1/2λ波片（5），位于第一级1/2λ波片（5）透射光方向上的第一级偏振分光棱镜（6），位于第一级偏振分光棱镜（6）的透射光方向上的第二级1/2λ波片（7），位于第二级1/2λ波片（7）的透射光方向上的第二级偏振分光棱镜（8），位于第二级偏振分光棱镜（8）反射光方向上的光束收集器一（9），位于第一级偏振分光棱镜（6）的反射光方向上的分光棱镜一（10），位于分光棱镜一（10）透射光方向上的激光能量计探头一（11），位于分光棱镜一（10）反射光方向上的光束收集器二（12）。

5.根据权利要求1所述的一种集成式激光电离效应模拟系统，其特征在于：所述显微观察模块（IV）包括CCD摄像头（15）、指引光源（16）、激光能量计探头二（18）、分光棱镜二（17）、调焦机构、物镜转盘（19）、物镜、支架；支架包括底板、竖直支撑杆和顶部的水平杆，所述CCD摄像头（15）、指引光源（16）、激光能量计探头二（18）、分光棱镜二（17）安装于支架顶部的水平杆上，调焦机构安装于水平杆末端的下面，物镜转盘（19）安装于调焦机构的下面，物镜安装于物镜转盘（19）的下面；在空间位置上，从衰减与光束调整模块出射的激光，经过反射镜后到达分光棱镜二（17）；经分光棱镜二（17）分成两束，一束为水平方向，另一束为竖直方向，水平方向的脉冲激光经过分光棱镜二（17）分别到达CCD摄像头（15）和激光能量计探头二（18），分光棱镜二（17）对应的位置上设置指引光源（16），竖直方向的脉冲激光依次经过调焦机构、物镜转盘（19）、物镜后到达半导体器件测试样品（20）表面。

6.根据权利要求5所述的一种集成式激光电离效应模拟系统，其特征在于：所述指引光源（16）在空间位置上依次经过分光棱镜二（17）、调焦机构、物镜转盘（19）、物镜后到达半导体器件测试样品（20）表面；指引光源（16）在分光棱镜二（17）上与脉冲激光合束后，到达半导体器件测试样品（20）表面上时，指引光源（16）与脉冲激光的光斑中心重合。