[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述多量子阱层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的一个表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述P型电极包括焊点和电极线，所述电极线的一端与所述焊点连接，所述电极线的另一端沿远离所述焊点的方向延伸；所述电极线包括从所述P型半导体层一侧起依次向上层叠的粘附层、反光层和打线层，所述反光层和所述打线层为Al膜；其特征在于，所述电极线还包括设置在所述反光层和所述打线层之间的复合层，所述复合层包括从所述反光层一侧起依次向上层叠的第一过渡层、导电层和第二过渡层，所述导电层为Cu膜，所述第一过渡层和所述第二过渡层为TiW膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述TiW膜包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层中Ti组分的含量大于所述第二子层中Ti组分的含量，所述第二子层中Ti组分的含量小于所述第三子层中Ti组分的含量。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层和所述第三子层的厚度之和为20nm～40nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一过渡层和所述第二过渡层的厚度之和为100nm～150nm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电层的厚度为400nm～600nm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括设置在所述衬底的表面上的分布式布拉格反射镜DBR，所述衬底设置所述DBR的表面为与所述衬底设置所述N型半导体层的表面相反的表面；所述DBR包括多个周期的金属氧化物薄膜，所述多个周期的金属氧化物薄膜依次层叠，每个周期的金属氧化物薄膜包括至少两种材料的金属氧化物薄膜，不同材料的金属氧化物薄膜的折射率不同，所述至少两种材料的金属氧化物薄膜依次层叠设置，不同周期的金属氧化物薄膜中至少两种材料的金属氧化物薄膜的层叠顺序相同。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR中N1个周期的金属氧化物薄膜的厚度为蓝光波长的四分之一，所述DBR中N2个周期的金属氧化物薄膜的厚度为黄光波长的四分之一，N1和N2为正整数，且N1和N2之和等于所述DBR中金属氧化物薄膜的周期数。

8.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；

在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，在所述P型半导体层上设置P型电极；

其中，所述P型电极包括焊点和电极线，所述电极线的一端与所述焊点连接，所述电极线的另一端沿远离所述焊点的方向延伸；所述电极线包括从所述P型半导体层一侧起依次向上层叠的粘附层、反光层、复合层和打线层，所述反光层和所述打线层为Al膜，所述复合层包括从所述反光层一侧起依次向上层叠的第一过渡层、导电层和第二过渡层，所述导电层为Cu膜，所述第一过渡层和所述第二过渡层为TiW膜。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，在所述P型半导体层上设置P型电极，包括：

采用磁控溅射技术在所述凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在所述P型半导体层上形成P型电极。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述TiW膜包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层中Ti组分的含量大于所述第二子层中Ti组分的含量，所述第二子层中Ti组分的含量小于所述第三子层中Ti组分的含量。