[发明专利]一种表面增强拉曼基底及其制备方法在审
申请号: | 201711131759.3 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN107748159A | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 李月娥;蔡可苏;王忠 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 邓超 |
地址: | 730000 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 增强 基底 及其 制备 方法 | ||
1.一种表面增强拉曼基底,应用于检测液体样品,其特征在于,所述表面增强拉曼基底包括衬底、金膜和金纳米立方体;
所述衬底采用硅材料形成,所述金膜设置在所述衬底上,所述金纳米立方体设置在所述金膜上,所述金纳米立方体呈矩阵排布,所述金纳米立方体之间具有间隙,所述间隙用于注入待测的液体样品。
2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼基底,其特征在于,所述金纳米立方体的边长为50nm,相邻两个所述金纳米立方体之间的所述间隙的宽度为30nm。
3.根据权利要求2所述的表面增强拉曼基底,其特征在于,所述金纳米立方体远离所述金膜的一端具有圆角。
4.根据权利要求3所述的表面增强拉曼基底,其特征在于,所述圆角的半径为1nm。
5.根据权利要求1所述的表面增强拉曼基底,其特征在于,所述衬底为长方体结构,所述衬底的长2000nm,所述衬底的宽为2000nm,所述衬底的高为110nm。
6.根据权利要求5所述的表面增强拉曼基底,其特征在于,所述金膜的长2000nm,所述金膜的宽为2000nm,所述金膜的厚度为40nm。
7.一种表面增强拉曼基底的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
采用硅材料形成衬底;
在所述衬底表面淀积钛层,并在所述钛层上镀金膜;
通过金属剥离方法在所述金膜的表面形成矩阵排布的金纳米立方体,所述金纳米立方体之间具有间隙,所述间隙用于注入待测的液体样品。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述金纳米立方体的边长为50nm,相邻两个所述金纳米立方体之间的所述间隙的宽度为30nm。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述金纳米立方体远离所述金膜的一端具有圆角。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述圆角的半径为1nm。
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