[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711132081.0 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN108091719A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 王进;彭福国;胡德政;徐希翔;李沅民 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/05 分类号: H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/0747
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 周放;解立艳
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 沉积 本征非晶硅层 晶体硅 银薄层 主栅线 异质结太阳能电池 制备 透明导电膜层 电极 太阳能光伏组件 电极固化 焊接拉力 丝网印刷 正面沉积 银浆料 树脂 背面
【说明书】:

发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,其中,该制备方法包括在晶体硅的正面沉积第一本征非晶硅层;在第一本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层;在晶体硅的背面沉积第二本征非晶硅层;在第二本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层;在N型非晶硅层的表面和P型非晶硅层的表面分别沉积透明导电膜层;在晶体硅的正面和背面的透明导电膜层上分别沉积银薄层;在晶体硅的正面和背面的银薄层上分别丝网印刷形成主栅线电极。本发明提供的异质结太阳能电池及其制备方法,通过在透明导电膜层和主栅线电极之间沉积一层银薄层,并通过银浆料中树脂的作用,使银薄层和主栅线电极固化在一起,从而增强了主栅线电极的焊接拉力,提升了太阳能光伏组件的可靠性。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

异质结太阳能电池具有高效率、低温度系数、无LID和PID、可双面发电以及成本下降空间大等优点,被视为下一代可量产的高效电池之一。

对于异质结太阳能电池的加工,由于其工艺温度要求低于200℃,所以其丝网印刷用到的浆料为低温银浆料。但是,低温银浆料的焊接拉力较低,一般为1N/cm,甚至更低。而焊接拉力对组件的制备及后期组件的可靠性非常重要,焊接拉力偏低带来的风险是:第一,电池无法做成组件;第二,即便勉强做成组件,也可能无法通过组件可靠性测试。

当前常用的改善异质结太阳能电池低温银浆料焊接拉力的方法如下:

1、增加低温银浆料中树脂的含量,但这样做的缺点是银含量会随之降低,导致浆料体电阻增大,做成电池后,电池填充因子会降低;

2、设计尺寸较大的丝印网版,以增加主栅线的宽度,但这样做的缺点是增大了遮光面积,电池的短路电流会降低,且浆料的用量会增大,成本增加;

3、调整丝印网版的设计尺寸或调整印刷工艺,以增加主栅线的高度,这样做的缺点是增大了浆料的用量,导致成本增加,且有可能造成印刷质量不良。

发明内容

本发明的目的是提供一种异质结太阳能电池及其制备方法,以解决上述现有技术中的问题,增大低温银浆料主栅线的焊接拉力,提升太阳能光伏组件的良率和可靠性。

本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法,其中,包括如下步骤:

在晶体硅的正面沉积第一本征非晶硅层,在所述晶体硅的背面沉积第二本征非晶硅层;或者在所述晶体硅的背面沉积所述第一本征非晶硅层,在所述晶体硅的正面沉积所述第二本征非晶硅层;

在所述第一本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层,在所述第二本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层;

在所述N型非晶硅层的表面和所述P型非晶硅层的表面分别沉积透明导电膜层;

在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别沉积银薄层;

在所述晶体硅的正面和背面的所述银薄层上分别通过丝网印刷形成主栅线电极。

如上所述的异质结太阳能电池的制备方法,其中,优选的是,在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别沉积银薄层具体包括:

在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别通过掩膜版遮挡所述透明导电膜层上的非主栅区域;

在所述透明导电膜层上的主栅区域沉积所述银薄层。

如上所述的异质结太阳能电池的制备方法,其中,优选的是,在所述晶体硅的正面和背面的所述银薄层上分别通过丝网印刷形成主栅线电极具体包括:

在所述晶体硅的正面和背面的所述银薄层上分别通过丝网印刷形成主栅线电极和细栅线电极。

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