[发明专利]太阳能电池上电极的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在晶体硅上沉积金属接触层；

在所述金属接触层上通过丝网印刷工艺形成电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在晶体硅上沉积金属接触层具体包括：

在晶体硅上的透明导电层上沉积金属接触层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在晶体硅上的透明导电层上沉积金属接触层具体包括：

在所述晶体硅的正面和背面分别沉积本征非晶硅层；

在所述晶体硅的正面和背面的所述本征非晶硅层上分别沉积N型非晶硅层和P型非晶硅层；

在所述N型非晶硅层和所述P型非晶硅层上分别沉积透明导电层；

在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电层上分别沉积金属接触层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在所述金属接触层上通过丝网印刷工艺形成电极之后还包括：

采用化学腐蚀去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在采用化学腐蚀去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层之前还包括：

烘干经过所述丝网印刷工艺形成的所述电极。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，烘干温度为150℃～250℃。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，所述金属接触层的厚度范围值为2～9nm。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，所述电极由银浆与树脂的混合物构成。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在晶体硅上沉积金属接触层具体包括：

采用物理气相沉积工艺制备所述金属接触层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在晶体硅上沉积金属接触层之后还包括：

采用低温热注入或低温光注入退火方式修复所述金属接触层。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，在晶体硅上沉积金属接触层具体包括：

采用电镀法制备所述金属接触层。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池上电极的制备方法，其特征在于，所述金属接触层为银、镍或铜中的一种。