[发明专利]共晶键合的方法及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201711132891.6 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107902626A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王建鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共晶键合 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种共晶键合的方法，其特征在于，所述共晶键合的方法包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面形成介质层；
刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽；
在所述凹槽内形成铝材料层；
提供第二晶圆，所述第二晶圆的表面形成有锗材料层；
将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行共晶键合。
2.如权利要求1所述的共晶键合的方法，其特征在于，刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽之后，所述共晶键合的方法还包括：
刻蚀所述凹槽部分底壁的介质层直至暴露出所述第一晶圆的表面，形成一接触孔。
3.如权利要求2所述的共晶键合的方法，其特征在于，在所述凹槽内形成铝材料层，所述铝材料层覆盖所述凹槽的底壁并填充所述接触孔。
4.如权利要求3所述的共晶键合的方法，其特征在于，所述铝材料层的厚度大于所述凹槽的深度。
5.如权利要求4所述的共晶键合的方法，其特征在于，所述铝材料层的侧壁与所述凹槽的侧壁之间有间隙。
6.如权利要求1所述的共晶键合的方法，其特征在于，对所述铝材料层和所述锗材料层的接触面进行加热和加压以进行共晶键合。
7.如权利要求6所述的共晶键合的方法，其特征在于，共晶键合施加的温度在400摄氏度～450摄氏度之间，施加的压力在30KN～40KN之间。
8.如权利要求1所述的共晶键合的方法，其特征在于，所述锗材料在所述第一晶圆上的投影覆盖所述铝材料层在所述第一晶圆上的投影。
9.如权利要求1所述的共晶键合的方法，其特征在于，所述第一晶圆包括CMOS晶圆，所述第二晶圆包括MEMS晶圆。
10.如权利要求9所述的共晶键合的方法，其特征在于，所述第一晶圆中形成有CMOS集成电路，所述第二晶圆中形成有MEMS器件。
11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，采用权利要求1-10中任一项所述的共晶键合的方法。
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