[发明专利]用于甚高频至特高频通讯的光穿透辐射元件在审
申请号: | 201711133912.6 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN109802228A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 吴宏伟;洪政源;叶昌鑫 | 申请(专利权)人: | 吴宏伟 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01B5/14 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;周勇 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明导电膜 辐射元件 穿透 特高频 基板 数字电视信号接收 玻璃帷幕 电性连接 光穿透度 结构配置 绝缘基材 美观设计 射频信号 天线本体 相对两侧 光波长 接地端 连接端 电性 电阻 整合 塑胶 金属 通讯 配置 | ||
1.一种用于甚高频至特高频通讯的光穿透辐射元件,其特征在于,包含:
基板;以及
第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构,配置于所述基板的表面上,且以一定间距为轴心而分别配置于所述轴心的相对两侧,其中所述第一透明导电膜结构具有射频信号连接端,其用以电性连接数字电视信号接收端,且所述第二透明导电膜结构具有电性接地端;
其中,所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜结构的电阻值小于0.1mΩ,且所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜结构在光波长为440纳米处的光穿透度大于50%。
2.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜结构的厚度介于0.5微米与5微米之间。
3.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜结构的电阻是能调整的,其电阻值介于0.01mΩ与0.1mΩ之间。
4.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述基板的材质为玻璃、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物或透明陶瓷材料。
5.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述基板在光波长为380纳米至780纳米处的平均光穿透度大于80%。
6.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜结构中的至少一个是步阶式阻抗共振器、环形共振器、片型共振器、四分之一波长共振器、二分之一波长共振器或槽孔式共振器。
7.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述第一透明导电膜结构与所述第二透明导电膜结构的组合是天线,所述天线为单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺线天线、倒F型天线、平板天线、八木天线或阵列天线。
8.权利要求6所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述天线的结构面的曲型包含平面、抛物面与曲面。
9.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,所述第一透明导电膜结构与所述第二透明导电膜结构是非对称地配置于所述轴心的相对两侧,所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜用以改变在甚高频至特高频通讯下所接收信号的频率位置、返回损失和电压驻波比。
10.权利要求1所述的光穿透辐射元件,其特征在于,还包含:
至少一个第三透明导电膜结构,电性耦合于所述第一透明导电膜结构及所述第二透明导电膜结构,所述至少一个第三透明导电膜结构用以改变在甚高频至特高频通讯下所接收信号的频率位置、返回损失和电压驻波比,且所述至少一个第三透明导电层的电阻值介于0.01mΩ与1mΩ之间。
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