[发明专利]具有单粒子锁定防止电路的存储器

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

存储器单元，所述存储器单元包括串联耦合在电源线与下拉节点之间的n沟道晶体管和p沟道晶体管；以及

单粒子锁定防止电路，所述单粒子锁定防止电路连接到所述下拉节点和所述存储器单元中的所述p沟道晶体管，

其中，所述单粒子锁定防止电路包括：

箝位电路，所述箝位电路连接在所述下拉节点与接地线之间，

电压感测电路，所述电压感测电路具有输出和连接到所述下拉节点的输入，以及

驱动器电路，所述驱动器电路接收来自所述电压感测电路的所述输出的控制信号，并且向所述存储器单元中的所述p沟道晶体管提供第一电压和第二电压中的所选择的电压，

其中，所述驱动器电路包括多路复用器，所述多路复用器具有接收所述第一电压的第一输入、接收所述第二电压的第二输入、以及耦合到所述存储器单元中的所述p沟道晶体管的输出，并且

其中，以正电源电压电平对所述第一电压进行偏置，并且其中，所述第二电压比所述第一电压大至少30％。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述箝位电路包括另一个n沟道晶体管，所述另一个n沟道晶体管在所述集成电路的正常操作期间总是导通的。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述电压感测电路包括比较器，所述比较器具有直接连接到所述下拉节点的第一输入和接收参考电压的第二输入。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的集成电路，其中，所述p沟道晶体管形成在n阱中，所述集成电路还包括：

形成在所述n阱中的n阱抽头，所述n阱抽头由所述单粒子锁定防止电路直接驱动。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的集成电路，还包括：

附加的存储器单元，所述附加的存储器单元包括串联耦合在所述电源线与所述下拉节点之间的另一个n沟道晶体管和另一个p沟道晶体管，其中，所述p沟道晶体管和所述另一个p沟道晶体管具有连接到所述单粒子锁定防止电路的体端子。

6.一种操作包括耦合到单粒子锁定防止电路的存储器单元的集成电路的方法，所述存储器单元包括串联耦合在电源线与下拉节点之间的n沟道晶体管和p沟道晶体管，所述单粒子锁定防止电路包括箝位电路、电压感测电路和驱动器电路，所述方法包括：

将数据加载到所述存储器单元上；

利用所述单粒子锁定防止电路，针对所述存储器单元中的单粒子锁定进行检测；以及

响应于检测到所述单粒子锁定，激活所述单粒子锁定防止电路以缓解所述存储器单元中的所述单粒子锁定，

其中，针对所述存储器单元中的单粒子锁定进行检测和激活所述单粒子锁定包括：

在所述箝位电路处输出暂时的电压升高；

通过所述电压感测电路检测所述暂时的电压升高并输出控制信号；以及

通过所述驱动器电路接收来自所述电压感测电路的所述控制信号，并且向所述存储器单元中的所述p沟道晶体管提供第一电压和第二电压中的所选择的电压，

其中，所述驱动器电路包括多路复用器，所述多路复用器具有接收所述第一电压的第一输入、接收所述第二电压的第二输入、以及耦合到所述存储器单元中的所述p沟道晶体管的输出，并且

其中，以正电源电压电平对所述第一电压进行偏置，并且其中，所述第二电压比所述第一电压大至少30％。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，针对所述单粒子锁定进行检测还包括确定所述暂时的电压升高是否超过了预定的阈值电平。

8.根据权利要求6-7中任一项所述的方法，还包括：在所述单粒子锁定防止电路被去激活时，使用所述单粒子锁定防止电路以向所述存储器单元中的n阱提供所述第一电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，激活所述单粒子锁定防止电路包括：使用所述单粒子锁定防止电路以向所述存储器单元中的所述n阱提供比所述第一电压大的所述第二电压。