[发明专利]非挥发存储器的区块解码器与位准移位器

说明书

本发明提供一种非挥发存储器的区块解码器与位准移位器。该非挥发存储器的区块解码器包括位准移位器和解码器。第一晶体管的控制端耦接至第一控制节点，第一晶体管的第一端耦接至输出节点，第一晶体管的该第二端耦接至第一供应电位。第二晶体管的控制端耦接至第二控制节点，第二晶体管的第一端耦接至接地电位，第二晶体管的第二端耦接至输出节点。第三晶体管的控制端耦接至输出节点，第三晶体管的第一端耦接至第一节点，第三晶体管的第二端耦接至第二供应电位。第四晶体管的控制端耦接至第二控制节点，第四晶体管的第一端耦接至第一节点，第四晶体管的第二端耦接至输出节点。本发明可提高整体系统可靠度、缩小整体电路布局面积。

技术领域

本发明是关于一种区块解码器(Block Decoder)与位准移位器(Level Shifter)，特别是关于可缩小整体布局面积(Layout Area)的非挥发存储器(Nonvolatile Memory)的区块解码器与位准移位器。

背景技术

非挥发性存储器(Nonvolatile Memory)具有当电源关掉后，所存储的数据不会消失的特性，包括闪存。闪存为一种电子清除式可程序只读存储器，且允许被多次擦除与写入，其适用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品之间作传输数据的交换。

闪存包括多个区块(Block)，其中每一区块由一区块解码器来进行存取。随着存储器中电路的密度越来越高，区块和区块解码器的数量皆大幅增加，这使得闪存的生产制造需要更大的布局面积。因此，有必要提出一种全新的解决方案，以解决传统技术中闪存的电路布局面积过大的问题。

发明内容

在较佳实施例中，本发明提供一种非挥发存储器的区块解码器，包括：一位准移位器，包括：一第一晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第一晶体管的该控制端耦接至一第一控制节点，该第一晶体管的该第一端耦接至一输出节点，而该第一晶体管的该第二端耦接至一第一供应电位；一第二晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第二晶体管的该控制端耦接至一第二控制节点，该第二晶体管的该第一端耦接至一接地电位，而该第二晶体管的该第二端耦接至该输出节点；一第三晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第三晶体管的该控制端耦接至该输出节点，该第三晶体管的该第一端耦接至一第一节点，而该第三晶体管的该第二端耦接至一第二供应电位；以及一第四晶体管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中该第四晶体管的该控制端耦接至该第二控制节点，该第四晶体管的该第一端耦接至该第一节点，而该第四晶体管的该第二端耦接至该输出节点；以及一解码器，耦接至一第三供应电位，其中该解码器用于输出一第一控制电位至该第一控制节点，并输出一第二控制电位至该第二控制节点。

在一些实施例中，该第一控制电位和该第二控制电位具有互补的逻辑位准。

在一些实施例中，该第一晶体管、该第二晶体管，以及该第三晶体管的每一个各自为一N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

在一些实施例中，该第四晶体管为一P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

在一些实施例中，该第一晶体管、该第二晶体管，以及该第四晶体管的每一个各自为一增强型晶体管。

在一些实施例中，该第三晶体管为一空乏型晶体管。

在一些实施例中，该第三供应电位大于或等于该第三晶体管的一临界电位的一绝对值。

在一些实施例中，该第三供应电位高于该第一供应电位。

在一些实施例中，该第三供应电位和该第一供应电位之间的一电位差大于或等于该第一晶体管的一临界电位。

在一些实施例中，该第二供应电位至少为该第一供应电位或该第三供应电位的四倍。