[发明专利]一种射频功率放大器

权利要求书

1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：

依次连接的输入匹配电路、第一级共发共基放大器、级间匹配电路、第二级功率放大器和输出匹配电路；

所述输入匹配电路将从收发器的输出阻抗匹配到所述第一级共发共基放大器的输入阻抗，所述第一级共发共基放大器对输出的射频功率进行功率放大，所述级间匹配电路将所述第一级共发共基放大器的输出阻抗匹配到所述第二级功率放大器的输入阻抗，所述第二级功率放大器对所述第一级共发共基放大器的输出的射频功率进行功率放大，所述输出匹配电路将所述第二级功率放大器的输出阻抗匹配到天线端。

2.如权利要求1所述的放大器，其特征在于：所述第一级共发共基放大器包括：第一晶体管、第一偏置电路、第二晶体管、第二偏置电路和第一阻风门；

所述第一晶体管的基极连接所述输入匹配电路和所述第一偏置电路，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的发射极，所述第二晶体管基极连接所述第二偏置电路，所述第二晶体管的集电极连接所述第一阻风门和所述级间匹配电路。

3.如权利要求2所述的放大器，其特征在于：所述第一级共发共基放大器还包括电感，所述第一晶体管的发射极通过所述电感接地。

4.如权利要求2所述的放大器，其特征在于：所述第一阻风门包括第一电感。

5.如权利要求4所述的放大器，其特征在于：所述第一阻风门通过电阻与所述第二晶体管的集电极连接。

6.如权利要求1所述的放大器，其特征在于：所述第二级功率放大器包括：第三晶体管、第三偏置电路和第二阻风门；

所述第三晶体管的基极连接所述级间匹配电路和所述第三偏置电路，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接所述第二阻风门和所述输出匹配电路。

7.如权利要求6所述的放大器，其特征在于：所述第二阻风门包括第二电感。

8.如权利要求1所述的放大器，其特征在于：所述输入匹配电路为T型网络电路，所述T型网络电路包括第一电容、第二电容和第三电感，所述第一电容和第二电容串联在收发器和所述第一级共发共基放大器之间，所述第三电感一端连接在第一电容和第二电容之间，另一端接地。

9.如权利要求1所述的放大器，其特征在于：所述级间匹配电路为T型网络电路，所述T型网络电路包括第三电容、第四电容和第四电感，所述第三电容和第四电容串联在所述第一级共发共基放大器和所述第二级功率放大器之间，所述第四电感一端连接在第三电容和第四电容之间，另一端接地。

10.如权利要求1所述的放大器，其特征在于：所述输出匹配电路包括：第五电感、第六电感、第七电感、第五电容、第六电容和第七电容，所述第五电感和所述第五电容串联在所述第二级功率放大器与天线端之间，所述第六电感一端连接在所述第五电容与所述天线端之间，另一端接地，所述第六电容和第七电容并联后与第七电感串联，串联电路一端连接在所述第五电感与所述第五电容连接处，另一端接地。

11.如权利要求2或6所述的放大器，其特征在于：所述第一偏置电路、第二偏置电路和第三偏置电路包括：第一偏置三极管、第二偏置三极管、第三偏置三极管、接地电容和导通电感，所述第一偏置三极管的发射极接地，所述第一偏置三极管的基极和集电极连接后与所述第二偏置三极管的发射极相连，所述第二偏置三极管的基极和集电极连接后与所述导通电感的一端相连，所述导通电感的另一端接偏置电压，所述第三偏置三极管的基极与所述第二偏置三极管的基极和集电极相连，所述第三偏置三极管的集电极接电源电压，所述第三偏置三极管的发射极连接第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的基极，所述接地电容一端连接在第三偏置三极管的基极与所述第二偏置三极管的基极和集电极之间，另一端接地。