[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711137111.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108336221A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 飞冈孝明;海老原美香 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;郑冀之 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 电极 导电型 半导体 半导体装置 电极分离 杂质区域 扩散层 浓度比 衬底 霍尔元件 灵敏度 埋入层 纵型 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，具有第1导电型的半导体衬底、和设置在所述半导体衬底上的纵型霍尔元件，其特征在于，
所述纵型霍尔元件具备：
第2导电型的半导体层，设置在所述半导体衬底上；
多个电极，在所述半导体层的表面在一条直线上设置，由浓度比所述半导体层高的第2导电型的杂质区域构成；
多个第1导电型的电极分离扩散层，在所述半导体层的表面，分别设置在所述多个电极的各电极间，使所述多个电极分别分离；以及
埋入层，在所述电极分离扩散层各自的大致正下方的所述半导体衬底与所述半导体层之间分别设置，由浓度比所述半导体层高的第2导电型的杂质区域构成。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述埋入层没有形成在所述电极的正下方。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层为外延层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层及所述电极分离扩散层的表面，除了设有所述电极的区域以外，被绝缘膜覆盖。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个电极的数为3个以上。
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