[发明专利]积体电感有效

专利信息
申请号: 201711137114.0 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN109802036B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 颜孝璁;简育生;叶达勋 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电感
【权利要求书】:

1.一种积体电感,包含:

一第一线圈,该第一线圈的部分绕组设置于一第一区且部分绕组设置于一第二区,该第一线圈于该第一区及该第二区的绕组圈数不同;以及

一第二线圈,该第二线圈的部分绕组设置于该第一区且部分绕组设置于该第二区,该第二线圈于该第一区及该第二区的绕组圈数不同;

其中该第一线圈于该第一区的绕组圈数与该第二线圈于该第一区的绕组圈数不同,该第一线圈于该第二区的绕组圈数与该第二线圈于该第一区的绕组圈数不同;

其中该第一线圈包含一第一埠以及一第二埠,该第二线圈包含一第三埠以及一第四埠,其中该积体电感更包含一中央抽头,该中央抽头与该第一埠、该第二埠、该第三埠以及该第四埠设置于同一侧;

其中该第一区包含一第一侧及一第二侧,该第二侧与该第二区相邻,该第一侧为该第二侧的相对侧,该第二埠与该第四埠于该第一侧共同藕接于该中央抽头,以及中央抽头位于该第一埠与该第三埠之间;

其中该第一线圈于该第一区和该第二区的绕组圈数的比例为一第一比例,该第二线圈于该第一区和该第二区的绕组圈数的比例为一第二比例,该第一比例与该第二比例成反比;

其中该第一比例为一比二。

2.根据权利要求1所述的积体电感,其中替代性地该第一比例为二比一。

3.根据权利要求2所述的积体电感,其中该第一线圈于该第一区的绕组是四分之三圈地环绕该第二线圈于该第一区的绕组,该第二线圈于该第二区的绕组是完整地环绕该第一线圈于该第二区的绕组。

4.根据权利要求1所述的积体电感,其中该第一区及该第二区各自包含由外向内排列的一第一圈、一第二圈及一第三圈,由该第一区的该第一侧向该第二侧延伸一假想直线,该假想直线依序通过该第一区的该第一侧、一第一中心点、该第一区的该第二侧、该第二区的一第一侧、该第二区的一第二中心点以及该第二区的一第二侧,该假想直线将该第一区划分出一第三侧及一第四侧,该假想直线亦将该第二区划分出一第三侧及一第四侧。

5.根据权利要求4所述的积体电感,其中该第一线圈由该第一埠开始绕设于该第一区的该第二圈,该第一线圈于该第一区的该第四侧交错绕设至该第一区的该第一圈,该第一线圈于该第一区的该第二侧交错绕设至该第二区的该第二圈,该第一线圈于该第二区的该第四侧交错绕设至该第二区的该第三圈,该第一线圈根据该第二中心点绕设于该第二区并于该第二区的该第四侧交错绕设至该第二区的该第二圈,该第一线圈于该第二区的该第一侧交错绕设至该第一区的该第一圈,该第一线圈沿该第一区的该第一圈绕设至该第二埠,其中该第二线圈由该第三埠开始绕设于该第一区的该第二圈,该第一线圈于该第一区的该第三侧交错绕设至该第一区的该第三圈,该第二线圈根据该第一中心点绕设于该第一区并于该第一区的该第三侧交错绕设至该第一区的该第二圈,该第二线圈于该第一区的该第二侧交错绕设至该第二区的该第一圈,该第二线圈根据该第二中心点绕设于该第二区并于该第二区的该第一侧交错绕设至该第一区的该第二圈,该第二线圈于该第一区的该第四侧交错绕设至该第一区的该第一圈,该第二线圈沿该第一区的该第一圈绕设至该第四埠。

6.根据权利要求4所述的积体电感,其中该第一线圈由该第一埠开始绕设于该第一区的该第一圈,该第一线圈于该第一区的该第四侧交错绕设至该第一区的该第二圈,该第一线圈于该第一区的该第二侧交错绕设至该第二区的该第一圈,该第一线圈根据该第二中心点绕设于该第二区并于该第二区的该第一侧交错绕设至该第一区的该第二圈,该第一线圈于该第一区的该第三侧交错绕设至该第一区的该第三圈,该第一线圈根据该第一中心点绕设于该第一区并于该第一区的该第三侧交错绕设至该第一区的该第二圈,该第一线圈沿该第一区的该第二圈绕设至该第二埠,其中该第二线圈由该第三埠开始绕设于该第一区的该第一圈,该第二线圈于该第一区的该第二侧交错绕设至该第二区的该第二圈,该第二线圈于该第二区的该第四侧交错绕设至该第二区的该第三圈,该第二线圈根据该第二中心点绕设于该第二区并于该第二区的该第四侧交错绕设至该第二区的该第二圈,该第二线圈于该第二区的该第一侧交错绕设至该第一区的该第一圈,该第二线圈于该第一区的该第四侧交错绕设至该第一区的该第二圈,该第二线圈沿该第一区的该第二圈绕设至该第四埠。

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