[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711137190.1 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107910449A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李山;谢志强;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管，包括玻璃基板（1）、依次层叠设于玻璃基板上的第一导电层（2）、电子注入层（3）、量子点发光层（4）、空穴传输层（5）、空穴注入层（6）和第二导电层（7），其特征在于：所述量子点发光层（4）与电子注入层（3）之间还设置有电子传输钝化层（8）。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一导电层（2）为ITO、FTO或AZO中的一种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述电子注入层（3）为氧化锌、氧化镓或氧化镍中的一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述电子注入层（3）为纳米薄膜、纳米颗粒、纳米线、纳米片或纳米带中的一种或多种组合。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述电子传输钝化层（8）为氧化锆、氧化铪、氧化硅、氧化铝、氮化铝和氮化硅中的一种或多种组合。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光层（4）为核壳结构的无机材料组成。
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第二导电层（7）为银、铝、铜和金中的一种或多种组合。
8.根据权利要求1~7任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、在玻璃基板上通过磁控溅射制备厚度为5~300nm的第一导电层；S20、在所述第一导电层上通过涂布或印刷制备厚度为10~200nm的电子注入层；S30、在所述电子注入层上形成电子传输钝化层；S40、在所述电子传输钝化层上通过涂布或印刷制备厚度为5~200nm的量子点发光层；S50、在所述量子点发光层上通过热蒸镀设备沉积厚度为5~200nm的空穴传输层；S60、在所述空穴传输层上通过热蒸镀设备沉积厚度为5~200nm的空穴注入层；S70、在所述空穴注入层上通过热蒸镀设备沉积厚度为5~200nm的第二导电层。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S30中通过磁控溅射、ALD或涂布方式制备电子传输钝化层。
10.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：所述电子传输钝化层的厚度为1~50nm。
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