[发明专利]一种抗辐射带隙基准电路的加固方法

权利要求书

1.一种抗辐射带隙基准电路的加固方法，应用于互补金属氧化物半导体工艺，所述方法包括：

生成第一带隙基准电压，所述第一带隙基准电压为具有基极漏电流变化分量的带隙基准电压；

消除所述基极漏电流变化分量，并引入第一三极管发射极与基极电压差分量；所述第一三极管为产生第一带隙基准电压的电路中产生基极漏电流变化分量的三极管；还原所述第一三极管发射极与基极的电压差值；

将消除基极漏电流变化分量后第一三极管发射极与基极的电压差分量引入带隙产生电路产生第二带隙基准电压，其中，所述第二带隙基准电压为消除所述基极漏电流变化分量的带隙基准电压；

其中，所述消除所述基极漏电流变化分量，并引入第一三极管发射极与基极电压差分量，具体包括：

获得第一电路产生的电压，所述第一电路为产生所述第一带隙基准电压的原始电路；

获得第二电路产生的电压，所述第二电路为产生第一三极管发射极与基极电压差分量的电路，其中，所述第二电路位于所述第一电路中；

根据第一电路产生的电压、第二电路产生的电压消除第一三极管产生的基极漏电流变化分量；

获得第四电路产生的电压，所述第四电路为输出消除所述基极漏电流变化分量后，所述第一三极管发射极与基极电压差分量的电路；

其中，将所述将消除基极漏电流变化分量后的第一三极管发射极与基极的电压差分量引入带隙产生电路产生第二带隙基准电压，还包括：将第四电路产生的电压引入带隙产生电路代替带隙产生电路中会产生基极漏电流变化分量的三极管的发射极与基极的电压差值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过设置第一增益放大器，获得所述第一电路产生的电压；

通过设置第二增益放大器，获得所述第二电路产生的电压。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过设置同相放大器，将消除所述基极漏电流变化分量后的第一三极管发射极与基极的电压差分量引入带隙产生电路。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一增益放大器和所述第二增益放大器的带宽分别大于等于所述第一电路的带宽指标。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述同相放大器带宽大于等于所述第一电路的带宽指标。