[发明专利]一种InP基单片集成全光模数转换器结构

权利要求书

1.一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：包括半导体锁模激光器、电吸收调制器、1×2分束器结构a、1×2分束器结构b和移相器结构，其中：

所述的半导体锁模激光器作为采样脉冲光源输出采样脉冲信号；

所述的1×2分束器结构a用于对半导体锁模激光器输出的采样脉冲信号进行分束处理，其中一个输出端作为InP基单片集成全光模数转换器结构的第一输出端，另外一个输出端连接至电吸收调制器；

所述的电吸收调制器用于对1×2分束器结构a发送来的采样脉冲信号进行强度调制，实现对模拟电信号的光采样，并发送至1×2分束器结构b；

所述的1×2分束器结构b用于对经过电吸收调制器调制后的采样脉冲信号进行分束处理，其中一个输出端作为InP基单片集成全光模数转换器结构的第二输出端，另外一个输出端连接至移相器结构；

所述的移相器结构用于对1×2分束器结构b的其中一个输出端引入π/2的相移后，其输出作为InP基单片集成全光模数转换器结构的第三输出端。

2.根据权利要求1所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：所述的半导体锁模激光器、电吸收调制器、1×2分束器结构a、1×2分束器结构b和移相器结构采用的材料基底均为InP材料。

3.根据权利要求1或2所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：所述的半导体锁模激光器和电吸收调制器均为多量子阱有源结构。

4.根据权利要求3所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：所述的1×2分束器结构a、1×2分束器结构b和移相器均为无源结构。

5.根据权利要求4所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：采用有源结构的有源区域和无源结构的无源区域实现单片集成的方案为对接生长技术。

6.根据权利要求1或2或4或5所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：所述的半导体锁模激光器由增益区和可饱和吸收区两部分组成。

7.根据权利要求1或2或4或5所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：所述的1×2分束器结构a和1×2分束器结构b采用Y波导、定向耦合器、多模干涉耦合器中的任意一种结构。

8.根据权利要求1或2或4或5所述的一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：所述的移相器结构通过采用不同半径的弯曲波导、蝶形楔形波导结构、改变波导宽度、改变波导芯层厚度的任意一种方式实现。