[发明专利]一种微显示器件修补方法及微显示器件有效
申请号: | 201711137764.5 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107910289B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 牛小龙;翁守正;徐相英;孙龙洋;姜晓飞 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/15 |
代理公司: | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人: | 刘戈 |
地址: | 261031 山东省潍坊*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 修补 方法 | ||
1.一种微显示器件修补方法,其特征在于,包括:
在剥离衬底后的TFT背板上覆盖倒模层并压实,以在所述倒模层上形成与所述TFT背板上缺失LED颗粒对应的若干个凹陷结构;
将带有所述若干个凹陷结构的所述倒模层从所述TFT背板上剥离下来并倒置于所述衬底上;
去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构,以使所述若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露;
在裸露的所述衬底位置上生长LED颗粒,以获得修补用衬底结构;
去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层,并将所述修补用衬底结构与所述TFT背板重新键合,以获得修补后的TFT背板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在剥离衬底后的TFT背板上覆盖倒模层,包括:
在剥离衬底后的TFT背板上均匀覆盖对LED颗粒没有粘性的倒模层材料;
当所述倒模层材料的覆盖厚度达到预设厚度时,对所述倒模层材料进行固化处理,以形成所述倒模层;
其中,所述倒模层在所述TFT背板上缺失LED颗粒的位置形成凹陷结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设厚度等于LED颗粒的厚度。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述剥离衬底后的TFT背板上均匀覆盖倒模层材料,包括:
在所述剥离衬底后的TFT背板上均匀喷涂所述倒模层材料。
5.根据权利要求2-4任一项所述的方法,其特征在于,所述倒模层材料为可塑性材料。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述倒模层材料进行固化处理,包括采用以下任一种固化处理方式:
将所述倒模层置于包含有固化剂的气体环境中进行固化处理;
将所述倒模层至于紫外光环境下进行固化处理;
对所述倒模层进行加热以进行固化处理。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构,以使若干个所述凹陷结构对应的衬底位置裸露,包括:
将所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构刻蚀掉,以使若干个所述凹陷结构对应的衬底位置裸露。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在裸露的所述衬底位置上生长LED颗粒,以获得修补用衬底结构,包括:
将去除所述凸起结构的倒模层以及裸露的所述衬底位置对应的区域设置为喷涂区域;
在所述喷涂区域内均匀喷涂LED生长材料;
当达到LED的预设生长时间时,去除未生长的LED生长材料,以获得修补用衬底结构。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层,包括:
根据所述倒模层的材质和LED颗粒的材质确定激光参数;
根据所述激光参数,采用激光清洗掉所述修补用衬底结构上的所述倒模层。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的修补方法获得的微显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造