[发明专利]一种含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器及它们的形成方法

权利要求书

1.一种含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其包括：

SOI衬底，所述SOI衬底从上到下依次包括顶硅层、氧化物层和体硅层；

在所述SOI衬底上形成的MZI结构，所述MZI结构包括并行且高度相同的第一波导臂和第二波导臂；

与第一波导臂相距第一距离且分别设置在第一波导臂左侧和右侧的第一隔离槽和第二隔离槽；

与第二波导臂相距第二距离且分别设置在第二波导臂左侧和右侧的第三隔离槽和第四隔离槽；

其中第二隔离槽与第三隔离槽完全重叠；

其中第一距离等于第二距离；以及

其中所述第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽和第四隔离槽至少延伸到顶硅层与氧化物层接触的界面处；

其中所述含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器还包括设置在SOI衬底上且分别与第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽和第四隔离槽位置相同的第一非波导结构、第二非波导结构、第三非波导结构和第四非波导结构，其中各隔离槽将对应的非波导结构分离成左右对称的两部分。

2.如权利要求1所述的含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其特征在于，所述非波导结构的高度与所述第一波导臂或第二波导臂的高度相同。

3.如权利要求1所述的含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其特征在于，所述非波导结构的高度与所述第一波导臂或第二波导臂的高度不同。

4.如权利要求1所述的含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其特征在于，所述非波导结构由硅材料制成。

5.如权利要求1所述的含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其特征在于，所述SOI衬底的氧化物层是二氧化硅层。

6.如权利要求1所述的含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其特征在于，所述第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽和第四隔离槽没有进行填充。

7.一种形成如权利要求1所述的含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器的方法，所述方法包括对表面有钝化层且设置在SOI衬底上的MZI结构和非波导结构依次实施下述加工步骤：

(1)在所述钝化层上沉积光刻胶；

(2)打开需要形成隔离槽的刻蚀区域窗口；以及

(3)刻蚀所述钝化层和所述非波导结构，直到达到所需隔离槽深度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中利用干法刻蚀来进行刻蚀。