[发明专利]基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器

权利要求书

1.基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器，其特征在于，包括：

一衬底；

一下限制层，其制作在衬底上；

一有源层，其制作在下限制层上；

一上限制层，其制作在有源层上；

一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；

一P⁺电极层，其是用隔离沟将其分为两段，制作在波导层上；

一N⁺电极层，其制作在下限制层的背面；

其中，分为两段的P⁺电极层分别对应于增益区和随机反馈区；

所述的随机反馈区对增益区发出的光进行随机反馈，随机反馈区对应的有源层部分为体材料；该随机反馈区对应的有源层部分制作随机光栅。

2.根据权利要求1所述的基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器，其特征在于，其中所述的增益区为整个芯片提供增益，增益区对应的有源层部分为多量子阱材料；增益区的长度为300±50μm。

3.根据权利要求1所述的基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器，其特征在于，随机反馈区的长度为300±50μm。