[发明专利]三维存储器字线电阻的测量方法有效
| 申请号： | 201711138083.0 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107993948B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 卢勤;张顺勇;汤光敏;高慧敏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 电阻 测量方法 | ||
1.一种三维存储器字线电阻的测量方法，其特征在于，包括：
提供三维存储器样品，所述样品的阵列区无通孔；
研磨三维存储器样品的金属层至露出沟道孔插塞；
研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出所述第一台阶区的所有字线，并沉积金属将露出的所有字线进行连接；所述字线的数量为3个；
在三维存储器样品的第二台阶区测量相邻两个字线的电阻和，以及第一个字线与最后一个字线的电阻和；
根据测量的电阻和计算每个字线的电阻。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨三维存储器样品的金属层至露出沟道孔插塞，具体为：采用化学机械研磨工艺沿第一方向研磨三维存储器样品的金属层至露出沟道孔插塞。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出所述第一台阶区的所有字线，具体为：采用化学机械研磨工艺沿第二方向研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出所述第一台阶区的所有字线。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积金属将露出的所有字线进行连接，具体为：采用聚焦离子束沉积钨将露出的所有字线进行连接。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用纳米探针在三维存储器样品的第二台阶区测量相邻两个字线的电阻和，以及第一个字线与最后一个字线的电阻和。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将所述纳米探针的两个探针分别接触所述第二台阶区中相邻两个字线对应的接触孔，以测量相邻两个字线的电阻和；并将所述纳米探针的两个探针分别接触第二台阶区中第一个字线与最后一个字线对应的接触孔，以测量第一个字线与最后一个字线的电阻和。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述字线的数量为N，根据测量的电阻和得到由N个二元一次方程构成的方程组，求方程组的解得到每个字线的电阻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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