[发明专利]一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法

权利要求书

1.一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法，包括以下步骤：

制备三维存储器待测试样品的步骤；

选取测试对象的步骤：根据电压衬度对比法VC(voltage contrast)判断三维存储器的阵列台阶区域露出的钨栓塞与字线层的连接状态，通过该方法检测，选择一个字线串内所有钨栓塞与字线层连接完好的字线串作为测试对象；

线路修补的步骤：使用聚焦离子束机台对上述测试对象的字线串的台阶区域进行线路修补，将测试对象的字线串内所有台阶区域的字线钨栓塞通过钨沉积的方式连接在一起，从而将测试对象的所有栅极和源极使用钨沉积连接在一起；

加载扫描电压的步骤：使用纳米点针台对线路修补后的所有钨栓塞加载扫描电压，即对栅极源极同时加载扫描电压，在沟道漏极进行电流量测，完成沟道导通性测量；

判断沟道导通性的步骤。

2.如权利要求1所述的一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法，其特征在于：制备三维存储器待测试样品的步骤包括，将所述三维存储器的上表面进行研磨处理，直至露出所述三维存储器的钨栓塞层。

3.如权利要求1所述的一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法，其特征在于：判断沟道导通性的步骤包括，如果漏极存在电流表示该沟道为导通的，同时说明控制栅极能够实现对沟道的控制，如果漏极无法检测到电流表示沟道为不导通的。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述研磨处理具体为化学机械研磨法。

5.如权利要求2或4所述的方法，其特征在于：在研磨处理之后对样品表面进行清洗，以保持待测试样品表面的清洁度，并使用加热台对待测试样品进行烘烤处理，以去除待测试样品上残留的水分。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述选取测试对象的步骤中，被检测的钨栓塞为亮VC表示钨栓塞与字线层连接完好，而暗VC表示钨栓塞与字线层断路。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述线路修补的步骤中，所述钨沉积的工艺具体为线镀的方式。