[发明专利]一种制备二硫化钼靶材的方法

权利要求书

1.一种制备二硫化钼靶材的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理；所述真空低温热处理的真空度为1.1×10^-2Pa~4.8×10^-3Pa，温度为300℃~900℃，时间为15min~240min；

步骤二、将步骤一中真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理；

步骤三、将步骤二中球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料；

步骤四、将步骤三中得到的二硫化钼坯料装入包套中抽真空焊封，然后进行热等静压处理，除去包套后得到二硫化钼靶材粗品；所述热等静压处理的温度为500℃~1000℃，压力为50MPa~500MPa，时间为60min~240min；

步骤五、将步骤四中得到的二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗，最终得到二硫化钼靶材。

2.根据权利要求1所述的一种制备二硫化钼靶材的方法，其特征在于，步骤一中所述二硫化钼粉末的质量纯度大于99.0%，平均粒径为0.5μm~50μm。

3.根据权利要求1所述的一种制备二硫化钼靶材的方法，其特征在于，步骤二中所述球磨处理的时间为2h~15h。

4.根据权利要求1所述的一种制备二硫化钼靶材的方法，其特征在于，步骤三中所述压制的过程为：将球磨处理后的二硫化钼粉末装入胶套内进行冷等静压处理，所述冷等静压处理的压力为50MPa~500MPa，保压时间为3min~45min。

5.根据权利要求1所述的一种制备二硫化钼靶材的方法，其特征在于，步骤三中所述压制的过程为：将球磨处理后的二硫化钼粉末装入模具进行模压处理，所述模压处理的压力为50MPa~900MPa，时间为5s~600s。

6.根据权利要求1所述的一种制备二硫化钼靶材的方法，其特征在于，步骤五中所述二硫化钼靶材的质量纯度不小于99.5%，密度不小于4.4g/cm³。