[发明专利]防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法有效
| 申请号： | 201711140440.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107731746B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 卢勤;张顺勇;高慧敏;汤光敏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 栓塞 腐蚀 半导体 特性 分析 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法，其特征在于，包括：
在晶圆上截取待分析样品，并调配预设浓度的研磨液；其中，所述预设浓度的研磨液的制备方法为：使用质量浓度为5％的柠檬酸或者醋酸与传统碱性研磨液按照体积比为1：1的比例进行均匀混合，得到pH为2～3的混合研磨液；
去除待分析样品的钝化层及金属叠层至呈现第一金属层；
使用所述预设浓度的研磨液配合抛光盘预定的转速去除所述第一金属层至呈现钨栓塞层；
对呈现所述钨栓塞层的样品进行特性分析。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圆上截取待分析样品之后，还包括：在所述晶圆上与所述待分析样品对应的目标地址附近进行标记。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用反应离子刻蚀机去除待分析样品的钝化层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用传统碱性研磨液和抛光盘300转/分钟的转速去除金属叠层；或者，采用调配的所述预设浓度的研磨液和抛光盘300转/分钟的转速去除金属叠层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用所述预设浓度的研磨液配合抛光盘小于50转/分钟的转速去除所述第一金属层至呈现钨栓塞层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用扫描电子显微镜，或者纳米测量机台，或者透射电镜对呈现所述钨栓塞层的样品进行特性分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
