[发明专利]一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是，包含以下步骤：

在硅基板上形成氧化物/氮化物等级层堆栈，继而形成垂直贯穿所述氧化物/氮化物等级层堆栈的栅极线狭缝；

去除氧化物/氮化物等级层堆栈中的氮化物层，形成凹陷区域；

使用氢氟酸回蚀所述凹陷区域，使得所述氧化物/氮化物等级层堆栈中的氧化物层表面平坦化；

使用导体材料填充所述凹陷区域，形成导体层并刻蚀所述导体层，形成导体/绝缘体等级层堆栈。

2.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

所述氮化物层由氮化硅形成。

3.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

使用干法/湿法刻蚀形成所述栅极线狭缝和所述凹陷区域。

4.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

使用磷酸去除氧化物/氮化物等级层堆栈中的氮化物层。

5.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

所述氢氟酸的浓度为HF：H₂O＝1:500，所述回蚀时间为1到5分钟。

6.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

所述导体材料包括钨、钴、铜、铝和硅化物中的一种或几种的组合。

7.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

使用薄膜沉积工艺完成所述填充过程和/或形成氧化物/氮化物等级层堆栈。

8.根据权利要求7所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

所述薄膜沉积工艺包括化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、原子层沉积法(ALD)中的一种。

9.根据权利要求1所述的一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是：

所述氧化物/氮化物等级层堆栈上还形成有绝缘层，所述栅极线狭缝垂直贯穿氧化物/氮化物等级层堆栈和绝缘层。

10.一种3D NAND存储器，其特征在于，其包括根据权利要求1-9任意一项所述方法制造的导体/绝缘体等级层堆栈。