[发明专利]一种玉米萌发期耐低温指标筛选方法在审
申请号: | 201711140611.6 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107889578A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 周羽;王振华;邸宏;王丹丹;张泓;曾兴;刘显君 | 申请(专利权)人: | 东北农业大学 |
主分类号: | A01C1/02 | 分类号: | A01C1/02 |
代理公司: | 成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51242 | 代理人: | 邹翠,李斌 |
地址: | 150030 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玉米 萌发 低温 指标 筛选 方法 | ||
技术领域
本发明属于玉米萌发期温度指标筛选技术领域,尤其涉及一种玉米萌发期耐低温指标筛选方法。
背景技术
玉米生长发育的早期阶段对低温胁迫十分敏感,此时低温冷害会影响种子萌发,延迟出苗时间,降低田间出苗率,抑制幼苗根茎叶的生长发育,阻碍光合作用,降低幼苗活力,极大地限制了其栽培范围和产量潜力。我国北方地区,尤其是东北春玉米区种植的玉米经常在出苗前后遭遇低温冷害,导致后期大面积减产。在这些区域,低温冷害已成为影响玉米早期生长发育的主要非生物逆境因素。玉米新品种选育是解决这一问题的重要途径,而鉴定和筛选耐低温玉米种质是选育耐低温品种的重要前提。
目前,玉米种质耐低温性鉴定主要分为田间鉴定法和室内鉴定法。田间鉴定通常利用自然低温环境,必要时通过调整播期创造低温胁迫条件,直接观测相关性状评价耐冷特性。室内鉴定则利用人工生长箱等控制光温湿条件,然后测定相关形态及生理生化指标来进行耐冷评价。研究发现,田间耐低温性鉴定成本较高,需要异地重复鉴定,易受年份间气候条件变化影响,结果不够准确[12,13],所以通常需要室内鉴定,以获得较稳定可靠的试验结果。
玉米在不同的生育时期都可能遭遇低温冷害,而萌发期是玉米对低温胁迫最为敏感的时期之一。迄今为止,国内外学者主要应用发芽势、发芽率、发芽指数、胚根长、胚芽长、存活率和电导率等鉴定指标进行玉米芽期耐冷性评价。在玉米耐低温鉴定中,为了消除不同材料遗传背景的差异,通常采用多种性状低温与常温下测定值的比值(相对值)作为衡量耐冷性强弱的指标。但由于多数情况下相对值间差异不显著,因此难以评价种质耐冷特性。郑昀晔等在玉米自交系耐冷性鉴定中应用聚类分析方法有效地解决了这一难题,为玉米种质耐冷性分类提供了帮助。
综上所述,现有技术存在的问题是:
现有技术采用多种性状低温与常温下测定值的比值(相对值)作为衡量耐低温性强弱的指标;由于多数情况下相对值间差异不显著,因此难以评价种质耐低温特性。
现有技术多是室内鉴定的方法,处理温度及条件等与田间实际情况差距较大,经室内鉴定过的材料在田间种植出现低温时与室内结果差异明显。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种玉米萌发期耐低温指标筛选方法。
本发明是这样实现的,一种玉米萌发期耐低温指标筛选方法,所述玉米萌发期耐低温指标筛选方法采用4℃、6℃、8℃、10℃、12℃,CK25℃和5d和7d做正交试验,确定最佳处理组合及鉴定指标;制定玉米自交系萌发期耐低温评价标准;
通过对发芽率、发芽指数、活力指数数据进行分析,找到玉米自交系萌发期耐低温鉴定的最佳处理组合,并以各性状低温与常温下测定值的比值作为耐低温鉴定指标。
进一步,采用6℃处理5天为玉米自交系萌发期耐低温鉴定的最佳处理组合。
进一步,所述玉米萌发期耐低温指标筛选方法具体包括:
种子的选取:选取玉米棒上长势整齐的种子,去掉头和尾,种子饱满度好,大小一致,每个温度四次重复,每次重复五十粒种子;
种子的消毒:0.5%的次氯酸钠消毒5分钟,自来水冲洗3次;
石英砂:选取40目~70目的石英砂,用发芽盒底装3cm石英砂,加100ml自来水,种胚朝上,待种子排列整齐后再盖1cm石英砂,再加50ml自来水;
种子排列:采取6*8+2的排列方式,四周留白2cm;种子间距1cm~2cm;
低温时间温度的处理组合,4℃、6℃、8℃、10℃、12℃,CK25℃自由组合处理种子;
将种子分别放入6℃和25℃培养箱中,暗培养,25℃每三天浇70ml水,均匀覆盖,6℃5天后移入15℃培养箱中,每三天浇50ml水;
根据实验总结25℃预采取测量日期为3,4,5,6,7,8,9天,6℃预采取测量日期为14,18,20,22,24,26,28天;
25℃第14天测定幼苗质量和长度;15℃第28天测定幼苗质量和长度。
进一步,所述玉米萌发期耐低温指标筛选方法还需进行:统计发芽率、发芽指数、苗鲜重和活力指数;以四次重复平均值作为统计单位;计算公式如下:
幼苗总鲜重:为吸除幼苗表面的水分后的重量;
发芽率=发芽终期全部正常发芽种子数/供试种子数×100%;
相对发芽率=(低温处理下的发芽率/对照处理下的发芽率)×100%;
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