[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711140866.2 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107910411B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 张大保 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的叠层结构，位于所述叠层结构上的u-GaN，位于所述u-GaN上的n-GaN，位于所述n-GaN上的量子阱结构，位于所述量子阱结构上的p-GaN；所述叠层结构包括多层氮化镓层和多层氮化铝层，相邻氮化镓层之间具有所述氮化铝层，氮化镓层层数等于氮化铝层层数，叠层结构中最底端与衬底接触层为氮化镓层，叠层结构中最顶端与u-GaN接触层为氮化铝层；所述u-GaN为未掺杂氮化镓层，所述n-GaN为n型掺杂氮化镓层，所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述n-GaN表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层，所述p-GaN为p型掺杂氮化镓层，所述叠层结构中位于氮化镓层与氮化铝层之间至少其中之一包括铝镓氮层。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述叠层结构厚度为20～50nm。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述叠层结构中氮化铝层与氮化镓层厚度比为1:(2～3)。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述铝镓氮层距离所述u-GaN距离小于距离所述衬底距离。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述铝镓氮层距离所述u-GaN的距离为距离所述衬底距离的1/5～3/5。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述叠层结构中氮化铝层至少其中之一为铟铝氮层。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述叠层结构中氮化镓层至少其中之一为铟镓氮层。
8.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成叠层结构；
在所述叠层结构上形成u-GaN；
在所述u-GaN上形成n-GaN；
在所述n-GaN上形成量子阱结构；
在所述量子阱结构上形成p-GaN；
所述叠层结构包括多层氮化镓层和多层氮化铝层，相邻氮化镓层之间具有所述氮化铝层，氮化镓层层数等于氮化铝层层数，叠层结构中最底端与衬底接触层为氮化镓层，叠层结构中最顶端与u-GaN接触层为氮化铝层；所述u-GaN为未掺杂氮化镓层，所述n-GaN为n型掺杂氮化镓层，所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述n-GaN表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层，所述p-GaN为p型掺杂氮化镓层，所述叠层结构中位于氮化镓层与氮化铝层之间至少其中之一包括铝镓氮层。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法还包括对衬底预处理步骤，所述预处理步骤是在900℃～1200℃，氮气、氢气流量比为1:(3～5)条件下处理5～10分钟。
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