[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201711141887.6 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN107807483B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 张展源;黄俊儒;叶昭纬 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,包括:

一基板;

一第一信号线,设置于该基板上,且具有一第一侧与一第二侧;

一第一像素单元,设置于该第一信号线的该第一侧,其中该第一像素单元包括:

一第一主动元件;

一第一共用电极;

一第一绝缘层,位于该第一共用电极上;以及

一第一像素电极,位于该第一绝缘层上,并与该第一主动元件电性连接,其中该第一像素电极包括一第一边缘条状电极以及多个第一延伸电极,且所述第一延伸电极分别从该第一边缘条状电极朝向该第一信号线延伸;

一第二像素单元,设置于该第一信号线的该第二侧,其中该第二像素单元包括:

一第二主动元件;

一第二共用电极;

一第二绝缘层,位于该第二共用电极上;以及

一第二像素电极,位于该第二绝缘层上,并与该第二主动元件电性连接,其中该第二像素电极包括一第二边缘条状电极以及多个第二延伸电极,所述第二延伸电极分别从该第二边缘条状电极朝向该第一信号线延伸,且所述第一延伸电极与所述第二延伸电极彼此交错设置;以及

一第一遮光图案层,位于该第一像素单元与该第二像素单元之间,且该第一遮光图案层与该第一信号线彼此重叠,其中所述第一延伸电极的至少其中之一与该第一遮光图案层部分重叠;

其中该第一边缘条状电极与该第二边缘条状电极之间具有一像素间距,所述第一延伸电极的至少其中之一具有一延伸长度,且该延伸长度对该像素间距的比值大于等于0.13且小于等于0.68。

2.如权利要求1所述的像素结构,其中:

该第一像素电极还包括多个第一像素条状电极,该第一边缘条状电极设置于所述第一像素条状电极与该第一信号线之间;以及

该第二像素电极还包括多个第二像素条状电极,该第二边缘条状电极设置于所述第二像素条状电极与该第一信号线之间。

3.如权利要求1所述的像素结构,还包含一第二信号线与一第三信号线,其中:

该第一主动元件,包括一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极,其中该第一源极与该第一信号线电性连接,该第一漏极与该第一像素电极电性连接,以及该第一栅极与该第三信号线电性连接;以及

该第二主动元件,包括一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极,其中该第二源极与该第二信号线电性连接,该第二漏极与该第二像素电极电性连接,以及该第二栅极与该第三信号线电性连接。

4.如权利要求1所述的像素结构,还包含一第二信号线与一第三信号线,其中:

该第一主动元件,包括一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极,其中该第一栅极与该第一信号线电性连接,该第一源极与该第三信号线电性连接,以及该第一漏极与该第一像素电极电性连接;以及

该第二主动元件,包括一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极,其中该第二栅极与该第二信号线电性连接,该第二源极与该第三信号线电性连接,以及该第二漏极与该第二像素电极电性连接。

5.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一共用电极与该第二共用电极电性连接,且该第一遮光图案层位于该第一共用电极与该第二共用电极上方。

6.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一共用电极与该第二共用电极电性连接,且该第一共用电极与该第二共用电极位于该第一遮光图案层上方。

7.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一遮光图案层电性连接于该第一共用电极与该第二共用电极。

8.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一遮光图案层的宽度大于该第一信号线的宽度。

9.如权利要求1所述的像素结构,其中所述第一延伸电极的至少其中之一与该第一遮光图案层具有一重叠宽度,该第一遮光图案层具有一遮光宽度,而该重叠宽度对该遮光宽度的比值小于等于0.8。

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