[发明专利]太阳能电池板有效
申请号: | 201711142369.6 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN108091714B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 李真荧;朴相昱 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/05 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池板 | ||
公开了一种包括多个太阳能电池的太阳能电池板,这多个太阳能电池包括第一太阳能电池和第二太阳能电池。第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每一个包括:半导体基板;第一导电区域,其被设置在半导体基板的第一表面上;第二导电区域,其被设置在半导体基板的与半导体基板的第一表面相对的第二表面上;第一透明电极层,其被设置在第一导电区域上;第二透明电极层,其被设置在第二导电区域上;以及多个互连件,其在第一透明电极层上以恒定间距彼此间隔开,以便沿给定方向延伸。第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每一个都不具有在半导体基板上与多个互连件交叉的金属电极。
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池板,更具体地,涉及一种包括彼此电连接的多个太阳能电池的太阳能电池板。
背景技术
近来,由于诸如石油和煤炭之类的现有能源资源的枯竭,对替换现有能源资源的替代能源的兴趣日益增加。最重要的是,将太阳光转化为电能的太阳能电池成为受欢迎的下一代电池。
太阳能电池可通过基于某种设计形成各种层和电极来制造。太阳能电池的效率可通过各种层和电极的设计来确定。为了使太阳能电池商业化,需要使太阳能电池的效率最大化并且使其制造成本最小化。
发明内容
因此,鉴于上述问题而提出了本发明的实施方式,并且本发明的实施方式的目的在于提供一种能够增加其输出的太阳能电池板。
根据本发明的一方面,可通过提供一种太阳能电池板来实现以上目的和其它目的,该太阳能电池板包括多个太阳能电池,该多个太阳能电池包括第一太阳能电池和第二太阳能电池,其中,所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个包括:半导体基板;第一导电区域,该第一导电区域被设置在所述半导体基板的第一表面上;第二导电区域,该第二导电区域被设置在所述半导体基板的与所述半导体基板的所述第一表面相对的第二表面上;第一透明电极层,该第一透明电极层被设置在所述第一导电区域上;第二透明电极层,该第二透明电极层被设置在所述第二导电区域上;以及多个互连件,该多个互连件在所述第一透明电极层上以恒定间距彼此间隔开,以便沿给定方向延伸,并且所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池中的每一个都不具有在所述半导体基板上与所述多个互连件交叉的金属电极。
附图说明
根据结合附图进行的以下详细描述,将更清楚地理解本发明的上述目的和其它目的、特征和其它优点,在附图中:
图1是例示根据本发明的一个实施方式的太阳能电池板的立体图;
图2是沿着图1的II-II线截取的截面图;
图3是示意性地例示包括在图1所示的太阳能电池板中并且通过互连件互连的第一太阳能电池和第二太阳能电池的立体图;
图4是沿着图3的IV-IV线截取的截面图;
图5是例示图1所示的太阳能电池板中包括的太阳能电池及形成于其上的互连件的局部截面图;
图6是例示图1的太阳能电池板中包括的太阳能电池的平面图;
图7是例示图1的太阳能电池板中包括的太阳能电池及与其连接的互连件的平面图;
图8是例示常规太阳能电池板中包括的太阳能电池的平面图;
图9是例示根据本发明的另一实施方式的太阳能电池板中包括的太阳能电池的一部分的局部放大截面图;
图10是例示根据本发明的另一实施方式的太阳能电池板中包括的太阳能电池的一部分的局部放大截面图;
图11是例示根据本发明的另一实施方式的太阳能电池板中包括的太阳能电池的一部分的局部放大截面图;以及
图12是例示根据本发明的又一实施方式的太阳能电池板中包括的太阳能电池的截面图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711142369.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的