[发明专利]基于有源和无源相结合的X波段5位移相器

权利要求书

1.一种基于有源和无源结构相结合的X波段5位移相器，包括：滤波器(1)、有源巴伦(3)和开关(4)，其特征在于：

有源巴伦(3)的输出端连接有正交信号发生器(2)，用于产生正的同相信号VoI+、负的同相信号VoI-、正的正交信号VoQ+和负的正交信号VoQ-；

所述有源巴伦(3)，包括共射放大电路(31)、共基放大电路(32)和第一差分缓冲器(33)；共射放大电路(31)的输出端与第一差分缓冲器(33)的负输入端连接，共基放大电路(32)的输出端与第一差分缓冲器(33)的正输入端连接；共射放大电路(31)的输入端与共基放大电路(32)的输入端连接，第一差分缓冲器(33)的正负两个输出端与正交信号发生器(2)的正负两个输入端连接；

所述正交信号发生器(2)，其输出端连接有四选一电路(5)，用于从正的同相信号VoI+、负的同相信号VoI-、正的正交信号VoQ+和负的正交信号VoQ-这四路信号中选择一路信号进行输出，实现信号在四个象限之间的变换。

2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于四选一电路(5)，由第二差分缓冲器(51)，第三差分缓冲器(52)和四个控制开关(53，54，55，56)组成；第二差分缓冲器(51)的正输出端与第一控制开关(53)的输入端连接，第二差分缓冲器(51)的负输出端与第二控制开关(54)的输入端连接；第三差分缓冲器(52)的正输出端与第三控制开关(55)的输入端连接，第三差分缓冲器(52)的负输出端与第四控制开关(56)的输入端连接；四个控制开关(53，54，55，56)的四个输出端连接作为四选一电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于第一差分缓冲器(33)由两个双转单电路(331，332)构成，第一双转单电路(331)的正输入端与第二双转单电路(332)的负输入端连接，第一双转单电路(331)的负输入端与第二双转单电路(332)的正输入端连接；第一双转单电路(331)的输出端作为正输出端，第二双转单电路(332)的输出端作为负输出端。

4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于两个双转单电路(331，332)的结构相同，每一个双转单电路由三个双极晶体管Q1，Q2，Q3，三个电阻R1，R2，R3和三个电容C1，C2，C3组成，第一电容C1的一端为正输入端，另一端与第一电阻R1的一端和第二双极晶体管Q2的基极连接，第二电容C2的一端为负输入端，另一端与第二电阻R2的一端和第三双极晶体管Q3的基极连接；第一电阻R1的另一端与第二双极晶体管Q2的集电极和第一双极晶体管Q1的集电极和第一双极晶体管Q1的基极相连接，第二电阻R2的另一端与第一双极晶体管Q1的发射极相连；第二双极晶体管Q2的发射极与第三双极晶体管Q3的集电极连接作为输出端；第三双极晶体管Q3的发射极与第三电阻R3的一端和第三电容C3的一端连接；第三电阻R3的另一端和第三电容C3的另一端接地。

5.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于四选一电路中的四个控制开关(53，54，55，56)结构相同，每一个控制开关由两个MOS晶体管电阻M1，M2和两个电阻R4，R5组成，第一MOS晶体管M1的漏极与第二MOS晶体管M2的漏极连接作为输入端；第一MOS晶体管M1的栅极与第四电阻R4的一端连接，第一MOS晶体管M1的源极接地，第四电阻R4的另一端作为负控制端；第二MOS晶体管M2的栅极与第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5的另一端作为正控制端，第二MOS晶体管M2的源极作为输出端。