[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括非绝缘体结构、至少一个碳纳米管(CNT)、介电层、及基于石墨烯的导电层。碳纳米管是在非绝缘体结构上方。介电层围绕纳米碳管。基于石墨烯的导电层是在至少一个纳米碳管上方。

技术领域

本揭露内容是关于一种半导体装置。

背景技术

集成电路(IC)的制造已通过增加在半导体装置中形成的集成电路的密度来驱使。这可通过实施更强力的设计规则以允许形成较大密度的集成电路装置来达成。尽管如此，集成电路装置诸如晶体管的增加的密度亦已增加处理具有减少特征大小的半导体装置的复杂性。

发明内容

本揭露内容的一实施方式提供一种半导体装置，其特征在于，包含非绝缘体结构、至少一纳米碳管(CNT)、介电层以及基于石墨烯的导电层。纳米碳管在非绝缘体结构上方。介电层围绕纳米碳管。基于石墨烯的导电层在至少一个纳米碳管上方。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示内容的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1是根据本揭示内容的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图；

图2至图18示出了根据本揭示内容的一些实施例的形成半导体装置的方法；

图19是根据本揭示内容的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图；以及

图20至图22示出了根据本揭示内容的一些实施例的形成半导体装置的方法。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述了组件及排列的特定实例以简化本揭示。当然，这些实例仅为示例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示在各个所揭示的实施例及/或配置之间的关系。

进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。