[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件

说明书

一种用于形成半导体器件的方法包括在半导体管芯上形成（110）硅酮层。所述方法还包括对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（120）。所述方法还包括在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积（130）表面活性剂，以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面。所述方法还包括在至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成（140）模制物。所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。

技术领域

各示例涉及用于半导体器件的保护措施的概念，并且具体涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术

半导体器件，例如在挑战性条件下（诸如在汽车应用中）使用的半导体器件，可能需要保护层来保护半导体器件免受外部影响，诸如湿度或灰尘。一些半导体器件可以受到形成在半导体器件上或周围的模制复合物（例如基于环氧树脂）保护。

发明内容

可能存在提供用于形成半导体器件的改进概念的需求，该改进概念实现使半导体器件免受外部影响的改进保护和/或增加的生命周期和/或耐久性。

这样的需求可以通过权利要求的主题来满足。

一些实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括在半导体管芯上形成硅酮层。该方法还包括对所述硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理。该方法还包括在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积表面活性剂，以获得至少部分被表面活性剂覆盖的硅酮表面。该方法还包括在至少部分被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成模制物。所述表面活性剂包括表面活性剂分子，表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。

一些实施例涉及用于形成半导体器件的方法。该方法包括在半导体管芯上形成硅酮层。该方法还包括利用氩或氩/氧等离子体对所述硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理。该方法还包括：在经等离子体处理的硅酮表面上方形成模制物。

一些实施例涉及一种半导体器件。该半导体器件包括半导体管芯。该半导体器件还包括定位在半导体管芯上的硅酮层。硅酮层的硅酮表面至少部分地被表面活性剂覆盖。该半导体器件还包括模制物，该模制物被定位成邻近至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面。

附图说明

装置和/或方法的一些示例将在下面仅作为示例并参考附图被描述，其中：

图1示出了用于形成半导体器件的方法的流程图；

图2示出了用于形成半导体器件的方法的流程图；

图3示出了半导体器件的示意性截面；和

图4示出了由等离子体处理和表面活性剂的沉积引起的硅酮层的表面改性的结构式。

具体实施方式

现在将参照附图来更全面地描述各个示例，附图中图示了一些示例。在附图中，为了清楚起见，线的粗度、层和/或区域的厚度可能被夸大。

相应地，虽然另外的示例能够具有各种修改和替代形式，但其一些特定示例示出于附图中，并且将在下面被详细地描述。但是，该详细描述不把另外的示例限制于所描述的特定形式。另外的示例可以覆盖落入本公开的范围之内的所有修改、等同和替代。在整个附图描述中，相同的数字指代相同或类似的元件，当彼此比较时，该相同或类似的元件可被以相同的方式或以修改的形式实现，同时提供相同或类似的功能。

将被理解的是，当元件被称为被“连接”或“耦合”到另一元件时，该元件可以被直接连接或耦合，或经由一个或多个中间元件连接或耦合。如果两个元件A和B使用“或”组合，则这将被理解为公开所有可能的组合，即，仅A、仅B以及A和B。相同组合的替代措辞是“A和B中的至少一个”。这同样适用于多于两个元件的组合。