[发明专利]一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法

权利要求书

1.一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法,其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤(一)、硫化钼分子层厚度晶片的制备；

步骤(1).取MoS₂源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有MoS₂源的石英舟放入电炉中的石英管内；石英舟放置在石英管的中间位；

步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；

步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H₂的体积含量为5％，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；

步骤(4).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min；

步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得MoS₂二维晶片；

步骤(二)、氧化硅的刻蚀；

步骤(1).取上述表面生长有MoS₂晶片的硅片基底，裁切成10mm×8mm的尺寸大小，然后放入石英管中的石英托上；

步骤(2).向石英管中加入10～50g水，之后向石英管中冲入氩气惰性保护气体，调节管内压力至1000～9000Pa；

步骤(3).将石英管的中间部位加热至400～600℃并使石英管两端温度保持在40～100℃，保温时间30～60min；

步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温后取出SiO₂/Si基底，获得表面有刻蚀图案的硅片基底。

2.根据权利要求1所述的一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法,其特征在于：所述的石英管的直径为1英寸。

3.根据权利要求1所述的一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法,其特征在于：所述的MoS₂源为MoS₂固体粉末、氧化钼和硫磺，金属钼和硫，三种中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法,其特征在于：所述的硅片基底为表面生长有300nm厚度氧化层的硅片。

5.根据权利要求1所述的一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法,其特征在于：向石英舟内加入水，促进氧化硅的刻蚀。