[发明专利]一种高能电涌保护集成电路装置

权利要求书

1.一种高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：包括泄流放电模块和信号采集输出模块，泄流放电模块包括相连的半导体放电器(1)和温控器(2)，信号采集输出模块包括与半导体放电器(1)交连的CRS信号采集单元(3)和RS信号采集单元(4)。

2.根据权利要求1所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述高能电涌保护集成电路装置还包括盒体(5)，泄流放电模块和信号采集输出模块均安装在盒体(5)内，盒体(5)上设有与半导体放电器(1)相连的第一连接端(6)、与温控器(2)相连的第二连接端(7)、与CRS信号采集单元(3)相连的第三连接端(8)以及与RS信号采集单元(4)相连的第四连接端(9)。

3.根据权利要求2所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述第一连接端(6)连接交流电火线、直流电正极或直流电负极。

4.根据权利要求2或3所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述第二连接端(7)连接地线或交流电零线。

5.根据权利要求2所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述盒体(5)的尺寸为38x32x7mm。

6.根据权利要求1所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述温控器(2)的工作电流与高能电涌保护集成电路装置的最大泄流放电量一致。

7.根据权利要求1所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述温控器(2)的熔断温度与半导体放电器(1)的失效温度一致。

8.根据权利要求1所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述CRS信号采集单元(3)的熔断温度与半导体放电器(1)的失效温度一致。

9.根据权利要求1所述的高能电涌保护集成电路装置，其特征在于：所述RS信号采集单元(4)的熔断温度与半导体放电器(1)的失效温度一致。