[发明专利]OLED显示器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示器及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

AMOLED显示器包括底发光型OLED显示器(由TFT基板侧出光)与顶发光型OLED显示器(由封装盖板侧出光)两种，由于顶发光型OLED显示器的OLED光源需要穿透阴极，因此必须采用透明阴极或者半透明阴极，现有的透明阴极多使用透明氧化物(TCO)，例如氧化铟锌(IZO)，透明阴极的厚度范围在100nm～500nm之间，方块电阻在5Ω/□～30Ω/□之间。半透明阴极多使用厚度较薄的金属，例如银(Ag)、镁银合金(MgAg)等，为保持40％以上的光穿透率，半透明阴极的厚度一般控制在10nm～20nm之间，方块电阻在1Ω/□～5Ω/□之间。然而，具有以上电阻值的透明阴极与半透明阴极只适合在小尺寸显示器中使用，在大尺寸显示器中使用时会因为阴极的方块电阻过高而产生电压降(IR drop)，而导致显示器出现亮度不均匀的现象，并且离阴极电压输入端越远的地方亮度越低。另外，无论是发光层发白光的OLED器件(White OLED结构)或者发光层发红绿蓝光的OLED器件(RGB side-by side)，都具有一些共通层(common layer)，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、及载子产生层(CGL)等，这些共通层均利用开放式掩膜板(Open mask)制作，覆盖所有子像素区域与子像素之间的间隔区域，由于有些共通层的材料的载子传输性较佳，载子会在这些共通层中侧向传导，使共通层产生侧向漏电，当一个子像素点亮时，与其相邻的子像素容易受到该子像素内的电流影响，导致其亮度不可控，从而出现串色现象。

图1为现有的OLED基板的共通层侧向漏电的示意图，如图1所示，该OLED基板中的OLED发光层100为白光发光层，所述OLED基板的所有子像素的OLED发光层100(包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层)相互连通，呈现为共通层，当OLED发光层100内部出现侧向漏电时，载子在OLED发光层100中侧向移动，从一个子像素移至相邻的子像素中，对相邻的子像素的发光造成影响，导致该相邻子像素的亮度不可控，该OLED基板与彩色滤光片配合实现画面显示时，容易出现串色现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED显示器的制作方法，制得的OLED显示器不会出现共通层侧向漏电的情况，避免了由于载子在相邻子像素之间迁移导致的串色现象，保证OLED显示器具有较好的显示效果；并且能够减轻电压降引起的亮度不均问题。

本发明的目的还在于提供一种OLED显示器，不会出现串色现象，具有较好的显示效果，其阴极的上方或者下方设有与其相连的辅助阴极，能够减轻电压降引起的亮度不均问题。