[发明专利]一种利用羰基法生产镍导电薄膜的方法

说明书

一种利用羰基法生产镍导电薄膜的方法,采用羰基镍热分解的工艺制取镍导电薄膜，具体方法如下：羰基镍由储罐进入蒸发器中，对蒸发器进行加热，将羰基镍进行蒸发，羰基镍蒸汽和CO气体按一定比例进行混合后通入羰基镍分解容器中，羰基镍分解容器内安装被加热的基体材料，反应得到镍导电薄膜。本发明可以得到一定纯度、致密度的镍导电薄膜。根据羰基分解沉积的特点，易制成薄膜，易导电金属Cu、Ag及Au很难制造成薄膜，利用本方法可以在不同基体上，制取指定纹理的金属薄膜，方法生产的镍导电薄膜电导率较好。

技术领域

本发明属于镍导电薄膜技术领域，具体涉及一种利用羰基法生产镍导电薄膜的方法。

背景技术

镍导电薄膜在各个技术领域的应用越来越广泛，在导体（触点）、电阻器、电容器部件、电感以及民用电磁屏蔽领域和军事领域中的雷达波屏蔽使军事装备隐身等领域广泛应用。但在生产中采用电镀、物理沉积等方法，生成的导电薄膜纯度不高，致密性偏低，成本较高，因此通过新工艺的方法制备导电薄膜是新的发展趋势。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是通过现有技术中的缺点而提供一种利用羰基法生产镍导电薄膜的方法，本发明是利用羰基镍气体在一定温度的基体材料上进行分解沉积形成镍基导电薄膜的方法。

为解决本发明的技术问题采用如下技术方案：

一种利用羰基法生产镍导电薄膜的方法,采用羰基镍热分解的工艺制取镍导电薄膜，具体方法如下：羰基镍由储罐进入蒸发器中，对蒸发器进行加热，将羰基镍进行蒸发，羰基镍蒸汽和CO气体按一定比例进行混合后通入羰基镍分解容器中，羰基镍分解容器内安装被加热的基体材料，反应得到镍导电薄膜。

其中通入羰基镍分解容器的气体流速为1-5cm/s。

其中羰基镍分解容器的内部压力为1-2mmHg，

其中羰基镍蒸汽与CO的体积比为1：5-10。

其中基体材料的温度为165℃-185℃。

其中羰基镍蒸汽和CO气体在羰基镍分解容器的反应时间为15-20min。

其中基体材料表面进行洁净处理。

所述羰基镍分解容器的横截面为方形，进料口斜向下，出口水平，基体材料位于羰基镍分解容器底部，羰基镍分解容器上部设置基体材料的加热装置，基体材料外套进行循环水冷却。

本发明可以得到一定纯度、致密度的镍导电薄膜。根据羰基分解沉积的特点，易制成薄膜，易导电金属Cu、Ag及Au很难制造成薄膜，利用本方法可以在不同基体上，制取指定纹理的金属薄膜，该方法生产的镍导电薄膜电导率较好。

具体实施方式

实施例1

一种利用羰基法生产镍导电薄膜的方法,采用羰基镍热分解的工艺制取镍导电薄膜，具体方法如下：羰基镍由储罐进入蒸发器中，对蒸发器进行加热，将羰基镍进行蒸发，羰基镍蒸汽和CO气体按一定比例进行混合后通入羰基镍分解容器中，其中羰基镍蒸汽与CO的体积比为1:5，羰基镍分解容器内安装被加热的、表面进行洁净处理的基体材料，反应得到镍导电薄膜。其中控制羰基镍分解容器内压力为1mmHg，基体材料表面的温度为165℃，通入羰基镍分解容器的气体流速为2cm/s，羰基镍蒸汽和CO气体在羰基镍分解容器的反应时间为15min，生成导电薄膜的电导率γ•10-4为15Ω/cm，表面微观结构致密光滑。

实施例2