[发明专利]一种低连锡不良率的PCB焊盘在审
申请号: | 201711152277.6 | 申请日: | 2017-11-19 |
公开(公告)号: | CN107801301A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 苏晓刚;李荣柱;邓业明 | 申请(专利权)人: | 惠州市德帮实业有限公司 |
主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11 |
代理公司: | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙)44349 | 代理人: | 鲁慧波 |
地址: | 516000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低连锡 不良 pcb 焊盘 | ||
技术领域
本发明具体涉及一种低连锡不良率的PCB焊盘。
背景技术
焊盘,表面贴装装配的基本构成单元,用来构成电路板的焊盘图案(land pattern),即各种为特殊元件类型设计的焊盘组合。当一个焊盘结构设计不正确时,很难、有时甚至不可能达到预想的焊接点。焊盘的英文有两个词:Land 和 Pad ,经常可以交替使用;可是,在功能上,Land 是二维的表面特征,用于可表面贴装的元件,而 Pad 是三维特征,用于可插件的元件。作为一般规律,Land 不包括电镀通孔(PTH, plated through-hole)。旁路孔(via)是连接不同电路层的电镀通孔(PTH)。盲旁路孔(blind via)连接最外层与一个或多个内层,而埋入的旁路孔只连接内层。
连锡是指焊接元器件时,两个及多个焊点被焊料连接在一起,从而造成产品功能及外观不良,因此,在进行元器件焊接时,应当尽量避免出现连锡现象。现有技术中的PCB焊盘容易发生连锡,使用过程中容易发生硬性碰撞造成变形使得定位不准确等问题。
发明内容
有鉴于此,本发明通过限定接地区和拼角区在焊板上的位置及尺寸,在结构及模式产生变化,大大降低连锡不良现状,改善制造品质。
本发明的技术方案为:一种低连锡不良率的PCB焊盘,其特征在于,包括焊板,所述焊板设有接地区和拼角区,所述拼角区对称设于所述接地区两侧,所述拼角区对称设有拼角;所述焊板的下方依次设有纤维层、第一缓冲层、第二缓冲层。
进一步的,所述拼脚与接地区的水平最短距离为0.35-0.42mm。
进一步的,所述拼角为矩形拼角,所述拼角的长为0.32-0.37mm,宽为0.21-0.23mm。
进一步的,所述纤维层为聚苯砜对苯二甲酰胺纤维与棉麻纤维的复合层。本发明采用的聚苯砜对苯二甲酰胺纤维、棉麻纤维,可通过任一现有技术实现。所采用的聚苯砜对苯二甲酰胺纤维,简称:PSA,除强力稍低外,其他性能与芳纶相似,但它在抗燃和抗热氧老化上显著优于芳纶,在300℃热空气中加热100h,强力损失小于5%,极限氧指数超过33;还有良好的染色性、电绝缘、抗化学腐蚀性、抗辐射等。主要用于制作消防服、特种工作服、高温过滤材料,F.H级绝缘纸,用于安全保护、环保、化工、宇航等领域。
进一步的,所述第一缓冲层包括两端分别与纤维层、第二缓冲层相抵的弧形弹性块、以及设于所述弧形弹性块内部的球形弹性体。
进一步的,所述第二缓冲层为聚酰亚胺气凝胶层。
进一步的,所述第一缓冲层与第二缓冲层的厚度比为2:3。
本发明的第一缓冲层通过弧形弹性块与球形弹性体的配合连接,能够起到很好的减震缓冲作用,再进一步的通过聚酰亚胺气凝胶层的弹性作用,使得减震防护效果更佳。
进一步的,本发明中的弧形弹性块包括以下重量份数的组分:50-60份聚氯乙烯、0.4-0.7份纳米氧化铝、8-11份三(二甲胺基)硅烷、12-15份偶联剂、聚酰亚胺气凝胶颗粒 22-31。
聚氯乙烯,英文简称PVC(Polyvinyl chloride),是氯乙烯单体(vinyl chloride monomer, 简称VCM)在过氧化物、偶氮化合物等引发剂;或在光、热作用下按自由基聚合反应机理聚合而成的聚合物。所述纳米氧化铝优选γ晶型,粒径优选10-50nm。三(二甲胺基)硅烷(CAS编号:15112-89-7)可选用市售产品实现。所述偶联剂可选用现有技术实现,起作用是增强纳米氧化铝与聚氯乙烯的复合强度。本发明特别选用聚氯乙烯作为所述缓冲层,缓冲层在长期处于弯折状态后,容易因磨损而开裂,影响气密性。本发明添加适量的纳米氧化铝和三(二甲胺基)硅烷填充入聚氯乙烯,可显著提升缓冲层的耐磨性能,并不显著降低其柔软性,从而提高本发明的可靠性。聚酰亚胺气凝胶通常是指以纳米量级超微颗粒相互聚集构成纳米多孔网络结构,并在网络孔隙中充满气态分散介质的轻质纳米固态材料,可显著提升缓冲层的耐磨性能,并有助于提高其柔软性,增加其使用寿命。
本发明通过限定接地区和拼角区在焊板上的位置及尺寸,在结构及模式产生变化,大大降低连锡不良现状,改善制造品质。特别的,为扩大本发明的适用范围,本发明的非金属结构,可通过现有技术的磁控溅射进行金属渡,然后与其他金属元器件连接。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的局部结构示意图。
具体实施方式
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