[发明专利]基于β-Ga2

说明书

本发明涉及基于β‑Ga₂O₃/CuGa₂O₄/[HONH₃]PbI₃异质结的气敏传感器及其制备方法，包括金叉指电极，ITO透明导电玻璃，位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga₂O₃薄膜，位于β‑Ga₂O₃薄膜上方的β‑Ga₂O₃/CuGa₂O₄异质结纳米墙阵列和[HONH₃]PbI₃薄膜；所述β‑Ga₂O₃/CuGa₂O₄异质结纳米墙阵列间隔嵌于[HONH₃]PbI₃薄膜，所述金叉指电极位于[HONH₃]PbI₃薄膜上方和位于ITO透明导电玻璃上方，位于[HONH₃]PbI₃薄膜上方的金叉指电极和位于β‑Ga₂O₃薄膜上方的β‑Ga₂O₃/CuGa₂O₄异质结纳米墙阵列间隔排列，且金叉指电极的顶端低于β‑Ga₂O₃/CuGa₂O₄异质结纳米墙阵列顶端。本发明的气敏传感器件，具有三维空间多相异质结界面结构，相互之间具有协同作用，气敏特性稳定，具有自供电、零功耗，无需加热，在室温下即可测VOC气体，在室内甲醛气体、糖尿病患者丙酮含量以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。

技术领域

本发明属于气敏传感领域，具体涉及一种基于β-Ga₂O₃/CuGa₂O₄/ [HONH₃]PbI₃异质结的气敏传感器及其制备方法。

技术背景

随着科技的快速发展及人们生活品质的不断提高，安全与健康开始受到人们的高度关注，气体传感器可以实时监测环境污染和人类的身体健康，高灵敏度、节能、低成本的气体传感器将具有很广阔的市场。目前检测有机化合物(Volatile OrganicCompounds,VOC)的气体传感器主要有基于电化学原理的气体传感器和基于金属氧化物半导体的气体传感器，但电化学气体传感器成本高、寿命短，而传统金属氧化物半导体气体传感器检测精度不高、灵敏度低。