[发明专利]无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法

权利要求书

1.一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置，其特征在于，包括：

激光器(301)，所述激光器(301)包括第一半导体增益介质(303)、设于所述第一增益介质两端的DFB反射器(304)以及加载于所述第一增益介质上的第一驱动电流源(305)；

设于所述激光器(301)一侧的增益调制器(302)，所述增益调制器(302)包括第二半导体增益介质(306)以及加载于所述第二增益介质上的第二驱动电流源(307)，所述增益调制器(302)用于对激光器(301)输出的激光强度进行调制。

2.如权利要求1所述的一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置，其特征在于：所述第一半导体增益介质(303)和第二半导体增益介质(306)的材质相同。

3.如权利要求1所述的一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置，其特征在于：所述第一半导体增益介质(303)和第二半导体介质上均设有2块电极(308)，所述第二半导体介质上设有高速加法器(310)，所述第一驱动电流源(305)产生的驱动电流经由第一半导体增益介质(303)上的电极(308)注入第一半导体增益介质(303)内，所述高速加法器(310)用于将第二驱动电流源(307)产生的驱动电流和一调制信号叠加后经第二半导体增益介质(306)上的电极(308)注入第二半导体增益介质(306)内。

4.如权利要求1所述的一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置，其特征在于：所述激光器(301)和增益调制器(302)生长于同一衬底(309)上。

5.一种基于权利要求1所述无啁啾的增益调制半导体激光器装置的激光强度调制方法，其特征在于，包括：

S1：第一半导体增益介质(303)受激辐射产生激光；

S2：调谐2个DFB反射器(304)的谐振波长，使激光器(301)输出波长稳定的激光；

S3：激光器(301)输出的激光进入增益调制器(302)；

S4：第二驱动电流源(307)产生大于增益调制器(302)的阈值电流的驱动电流，使第二半导体增益介质(306)内部形成粒子数反转使进入增益调制器(302)内的激光受激放大，实现激光强度的调制；

S5：增益调制器(302)输出调制后的激光。

6.如权利要求5所述的激光强度调制方法，其特征在于：第一驱动电流源(305)产生大于激光器(301)的阈值电流的驱动电流时，第一增益介质两端的DFB反射器(304)形成谐振腔，调谐2个DFB反射器(304)的谐振波长，使激光器(301)输出波长稳定的激光。

7.如权利要求5所述的激光强度调制方法，其特征在于：所述增益调制器(302)输出的激光波长与激光器(301)输出的激光波长相同。

8.如权利要求5所述的激光强度调制方法，其特征在于：所述第二半导体增益介质(306)上设有高速加法器(310)，所述高速加法器(310)用于将第二驱动电流源(307)产生的驱动电流与一调制信号叠加后注入第二半导体介质。

9.如权利要求8所述的激光强度调制方法，其特征在于：所述第一半导体增益介质(303)和第二半导体介质上均设有2块电极(308)。

10.如权利要求9所述的激光强度调制方法，其特征在于：所述第一驱动电流源(305)产生的驱动电流经由第一半导体增益介质(303)上的电极(308)注入第一半导体增益介质(303)内，当第一驱动电流源(305)产生大于激光器(301)的阈值电流的驱动电流时，第一半导体增益介质受激辐射产生激光，所述第二驱动电流源(307)产生的驱动电流经由第二半导体增益介质(306)上的电极(308)注入第二半导体增益介质(306)内，当第二驱动电流源(307)产生大于增益调制器(302)的阈值电流的驱动电流时，第二半导体增益介质(306)内部形成粒子数反转。