[发明专利]一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹非对称变压器在审
| 申请号： | 201711153516.X | 申请日： | 2017-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN108022717A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;陈天伟 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01F19/04 | 分类号： | H01F19/04;H01F27/28 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 标准 cmos 工艺 实现 赫兹 对称 变压器 | ||
1.一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹非对称变压器，其特征在于，包括，初级线圈和次级线圈，其中，所述的初级线圈为多边形形状的环形线圈(M21)，所述环形线圈(M21)的一侧形成有向外凸出的开口，所述开口的两个端中的一个端构成初级线圈第一端口(P1)，另一个端构成初级线圈第二端口(P2)，所述的次级线圈是由位于所述环形线圈(M21)环内侧的Π形结构的次级线圈主体和位于所述环形线圈(M21)环外侧且与Π形结构的次级线圈主体开口端对应设置的端口结构构成。
2.根据权利要求1所述的一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹非对称变压器，其特征在于，所述的次级线圈主体包括有Π形结构的上层主体金属段(M11)、第一下层主体金属块(M14)和第二下层主体金属块(M15)，所述Π形结构的上层主体金属段(M11)开口端的一个端通过第三通孔块(V3)与相对应的第一下层主体金属块(M14)相连且导通，所述上层主体金属段(M11)开口端的另一个端通过第一通孔块(V1)与相对应的第二下层主体金属块(M15)相连且导通，所述端口结构包括有第一上层金属块(M12)、第二上层金属块(M13)、第一下层金属块(M16)和第二下层金属块(M17)，所述第一上层金属块(M12)通过第四通孔块(V4)与相对应的第一下层金属块(M16)相连且导通，所述第二上层金属块(M13)通过第二通孔块(V2)与相对应的第二下层金属块(M17)相连且导通，其中，所述的第一下层主体金属块(M14)与所述的第一下层金属块(M16)为一体连接，所述的第二下层主体金属块(M15)与所述的第二下层金属块(M17)为一体连接，所述第一上层金属块(M12)构成次级线圈的第一端口(P3)，所述第二上层金属块(M13)构成次级线圈的第二端口(P4)。
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