[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201711153553.0 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN107871804B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 吕志轩;陈誉云;林永鑫;李芳仪;潘锡明 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于包括：
第一型半导体层；
发光层，位于该第一型半导体层上；
第二型半导体层，位于该发光层上；
电流阻挡层，位于该第二型半导体层上，该电流阻挡层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，且该些高折射率层与该些低折射率层交互堆栈；
透明导电层，位于该第二型半导体层上，且覆盖该电流阻挡层，其中该些高折射率层的厚度与该些低折射率层的厚度形成一非整数模堆，且相邻的该些高折射率层与该些低折射率层的光程差不等于该发光层所发出光的波长的整数倍；以及
电极，位于与该电流阻挡层相对应的该透明导电层上。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该电流阻挡层与该电极分别在截面上具有第一宽度与第二宽度，且该电流阻挡层的该第一宽度大于该电极的该第二宽度。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第一宽度与该第二宽度的比值落在1.4至2.6之间。
4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光层发出的光为蓝光。
5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层包括第一高折射率层与第二高折射率层，且该些低折射率层包括：
低折射率底层，位于该第二型半导体层与该第一高折射率层之间；
第一低折射率层，位于该第一高折射率层与该第二高折射率层之间；以及
第二低折射率层，位于该第二高折射率层与该透明导电层之间。
6.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该多个高折射率层的数量与该多个低折射率层的数量不同。
7.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，该些高折射率层还包括高折射率顶层，位于该第二低折射率层与该透明导电层之间。
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