[发明专利]一种四管BUCK-BOOST电路的控制方法、控制电路及系统

权利要求书

1.一种四管BUCK-BOOST电路的控制方法，所述四管BUCK-BOOST电路包括电源输入端、电压输出端和四个功率MOSFET：功率MOSFET Q1、功率MOSFET Q2、功率MOSFET Q3和功率MOSFET Q4，所述功率MOSFET Q1和所述功率MOSFET Q2为互补导通，所述功率MOSFET Q3和所述功率MOSFET Q4为互补导通，所述功率MOSFET Q1的输入端与所述输入电源的正极相连，所述功率MOSFET Q2的输出端与所述电源输入端的负极相连，所述功率MOSFET Q4的输出端与所述电压输出端的负极相连，所述功率MOSFET Q3的输入端与所述电压输出端的正极相连，其特征在于，所述控制方法包括：

获取所述四管BUCK-BOOST电路的实际输出电压值；

当所述四管BUCK-BOOST电路处于额定负载态且所述实际输出电压值过冲时，将所述四管BUCK-BOOST电路调整至移相控制模式，所述额定负载态表示所述四管BUCK-BOOST电路处于满载态，在所述移相控制模式下，所述功率MOSFET Q4与所述功率MOSFET Q1之间的移相角增加，使得输出电流减小；所述功率MOSFET Q4与所述功率MOSFET Q1所述之间的移相角的值，与所述输出电流的电流值为反相关关系；

在所述移相控制模式下，若所述实际输出电压值过冲时，将所述四管BUCK-BOOST电路调整至调宽控制模式，在所述调宽控制模式下，所述功率MOSFET Q1和所述功率MOSFET Q3的占空比等比例减小，使得所述输出电流减小；所述功率MOSFET Q1和所述功率MOSFET Q3的占空比等比例变化的倍数，与所述输出电流的电流值为正相关关系。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述当所述四管BUCK-BOOST电路处于额定负载态且所述实际输出电压值过冲时，将所述四管BUCK-BOOST电路调整至移相控制模式包括：

当所述四管BUCK-BOOST电路处于所述额定负载态时，判断所述实际输出电压值与额定输出电压值之间的差值是否大于预置值；

若是，则确定所述实际输出电压值过冲，并将所述四管BUCK-BOOST电路调整至移相控制模式。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述将所述四管BUCK-BOOST电路调整至移相控制模式包括：

以预置第一速率增加所述功率MOSFET Q4和所述功率MOSFET Q1之间的移相角，以使得所述实际输出电压值与所述额定输出电压值之间的差值小于所述预置值。

4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述在所述移相控制模式下，若所述实际输出电压值过冲时，将所述四管BUCK-BOOST电路调整至调宽控制模式包括：

当所述移相角达到最大值，且所述实际输出电压值过冲时，将所述四管BUCK-BOOST电路结束所述移相控制模式并调整至所述调宽控制模式；

当所述四管BUCK-BOOST电路的输出电压大于输入电压时，所述最大值为所述功率MOSFET Q2的占空比的值；

当所述四管BUCK-BOOST电路的输出电压小于输入电压时，所述最大值为所述功率MOSFET Q4的占空比的值。

5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述将所述四管BUCK-BOOST电路调整至调宽控制模式包括：

以预置第二速率等比例减小所述功率MOSFET Q1的占空比和所述功率MOSFET Q3的占空比，以使得所述实际输出电压值与所述额定输出电压值之间的误差小于预置值。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的控制方法，其特征在于，所述四管BUCK-BOOST电路的电压传输比的计算公式为：

所述P用于表示所述四管BUCK-BOOST电路的电压传输比，所述D_Q1用于表示所述功率MOSFET Q1的占空比，所述D_Q2用于表示所述功率MOSFET Q2的占空比，所述D_Q3用于表示所述功率MOSFET Q3的占空比，所述D_Q4用于表示所述功率MOSFET Q4的占空比。