[发明专利]一种制备金电极表面多巴胺自组装单分子膜的方法有效
申请号: | 201711154689.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108070826B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 李君;谢彦博;安鹏荣 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/18;C23C28/00;C25B3/02;C25D9/02 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 华金 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自组装单分子膜 金电极表面 多巴胺 构建 制备 电化学 金表面 脱保护 | ||
1.一种制备金电极表面多巴胺自组装单分子膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:制备金电极:在玻璃片同一面上先蒸镀一层大于3nm厚的铬,再在铬层上蒸镀一层大于50nm厚的金;之后整体依次在二次水、无水乙醇和二氯甲烷中润洗3次,除去金片表面的灰尘和有机物;
步骤二:金电极表面构建p-DA SAM,包括以下子步骤:
子步骤一:配制p-DA分子的二氯甲烷溶液,其中p-DA分子的浓度为大于或等于10-4mol/L,通氩气、氮气惰性气体10s以上除去溶液中的氧气;
子步骤二:将步骤一中处理好的金电极浸泡在除氧后的二氯甲烷溶液中,密闭静置12h以上,溶液中的p-DA分子通过氨基与金电极表面形成共价键,从而在表面形成p-DA-SAM;
子步骤三:静置12h以上后,取出金电极,用二氯甲烷冲洗金电极表面物理吸附的分子,并用氩气吹干,得到组装好的金电极表面的p-DA-SAM;
步骤三:对步骤二得到的p-DA SAM进行电化学脱保护,得到氧化态的DA-SAM,包括以下子步骤:
子步骤一:配置H2SO4水溶液,其中H2SO4的浓度为0.5mol/L;
子步骤二:将表面有组装好的p-DASAM的金电极作为工作电极,铂丝作为对电极,饱和甘汞电极作为参比电极,在浓度为0.5mol/L的H2SO4溶液中进行循环伏安扫描,直到电流不再增大时,金电极表面的p-DA-SAM已全部经过电化学脱保护,生成氧化态的DA-SAM;
步骤四:在0.5mol/L的H2SO4溶液中,对氧化态的DA-SAM进行电化学还原,施加[-0.2,0.4]V之间的电压10s以上,即可得到还原态的DA-SAM。
2.如权利要求1所述的一种制备金电极表面多巴胺自组装单分子膜的方法,其特征在于,所述润洗为用相应的溶剂冲洗,时间为10s。
3.如权利要求1所述的一种制备金电极表面多巴胺自组装单分子膜的方法,其特征在于,所述循环伏安扫描的低电压范围为[-0.2,0.4]V,高电压为1.05V。
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