[发明专利]晶圆侦测装置及晶圆清洗机在审
| 申请号： | 201711154851.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817509A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 苏左将;张宏源;张芳丕;张启铭 | 申请（专利权）人： | 顶程国际股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;周勇 |
| 地址： | 中国台湾台中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆清洗 侦测装置 光接收元件 侦测 光发射元件 处理装置 轮廓外形 判断单元 侦测光 配置 处理单元配置 处理单元 发射光线 光线转换 信号连接 成对 种晶 反射 | ||
1.一种晶圆侦测装置，适用以在晶圆清洗工艺中侦测多个晶圆的状态，其特征在于，所述晶圆侦测装置包含：
光发射元件，其设置在能够对所述多个晶圆发射光线的范围内，所述光发射元件配置成对所述多个晶圆发射光线；
光接收元件，其设置在所述光发射元件的一侧，且所述光接收元件配置成接收从所述多个晶圆反射的光线；以及
处理装置，其信号连接所述光接收元件，其中所述处理装置包含：
处理单元，其配置成将所述光接收元件所接收的光线转换成侦测光强信号及/或侦测轮廓外形；以及
判断单元，其配置成根据所述侦测光强信号及/或所述侦测轮廓外形判断所述多个晶圆的状态。
2.如权利要求1所述的晶圆侦测装置，其特征在于，所述光发射元件与所述光接收元件分别为激光发射元件与激光接收元件。
3.如权利要求1所述的晶圆侦测装置，其特征在于，
所述处理装置还包含储存单元，其配置成储存初始光强信号与初始轮廓外形；以及
所述判断单元配置成比对所述初始光强信号与所述侦测光强信号的差异，或比对所述初始轮廓外形与所述侦测轮廓外形的差异，来判断所述多个晶圆的状态。
4.一种晶圆清洗机，适用以清洗多个晶圆，其特征在于，所述晶圆清洗机包含：
槽体，其具有容置空间，且所述容置空间设有晶圆放置架，所述晶圆放置架配置成承载所述多个晶圆；
晶圆夹臂，其设置在所述槽体上方，且所述晶圆夹臂配置成夹持所述多个晶圆；以及
晶圆侦测装置，其配置成侦测所述多个晶圆的状态，且所述晶圆侦测装置包含：
光发射元件，其设置在能够对所述多个晶圆发射光线的范围内，所述光发射元件配置成对所述多个晶圆发射光线；
光接收元件，其设置在所述光发射元件的一侧，且所述光接收元件配置成接收从所述多个晶圆反射的光线；以及
处理装置，其信号连接所述光接收元件，其中所述处理装置包含：
处理单元，其配置成将所述光接收元件所接收的光线转换成侦测光强信号及/或侦测轮廓外形；
判断单元，其配置成根据所述侦测光强信号及/或所述侦测轮廓外形判断所述多个晶圆的状态。
5.如权利要求4所述的晶圆清洗机，其特征在于，所述光发射元件与所述光接收元件分别为激光发射元件与激光接收元件。
6.如权利要求4所述的晶圆清洗机，其特征在于，
所述处理装置还包含储存单元，其配置成储存初始光强信号与初始轮廓外形；以及
所述判断单元配置成比对所述初始光强信号与所述侦测光强信号的差异，或比对所述初始轮廓外形与所述侦测轮廓外形的差异，来判断所述多个晶圆的状态。
7.如权利要求4的晶圆清洗机，其特征在于，所述晶圆清洗机还包含升降装置，其连接所述晶圆放置架或所述晶圆夹臂，所述升降装置配置成驱动所述晶圆放置架或所述晶圆夹臂，以改变所述晶圆放置架与所述晶圆夹臂之间的相对位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
