[发明专利]一种防半桥或全桥开关电源电路误导通的驱动电路在审

专利信息
申请号: 201711157467.7 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN107733220A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 唐文川;柏澜;林华章;赵伟;柳彬;曾祥孔;皇丰辉;张建涛 申请(专利权)人: 武汉华海通用电气有限公司
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)42224 代理人: 方可
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 防半桥 开关电源 电路 误导 驱动
【权利要求书】:

1.一种防半桥或全桥开关电源电路驱动串扰误导通的驱动电路,其特征在于,在开关管的G、S极之间加一个串联有电容的MOS管,所述MOS管的驱动与开关管驱动相反;

当主开关管关断时所述MOS管开通,用于吸收来自对管开通时的串扰,防止主电路同一桥臂开关管的直通。

2.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,包括光耦隔离电路、主电路开关管驱动电路、反相器、MOS管和电容;

所述光耦隔离电路的输入端用于接入PWM信号,光耦隔离电路的输出信号一分为二;

其中一路接入到所述主电路开关管驱动电路,主电路开关管驱动电路的输出信号接入主电路开关管栅极,用于驱动主电路开关管的开通或关断;

另一路接入到所述反相器,反相器输出信号接入所述MOS管的G极以驱动MOS管;所述MOS管的D极连接所述电容的一端,电容的另一端与主电路开关管的栅极相连;MOS管的S极与主电路开关管的源极相连;使得所述MOS管驱动与主电路开关管驱动刚好反向,电容只在关断时接入主电路。

3.如权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述主电路开关管驱动电路包括驱动芯片U1、第一电阻R5、第二电阻R4和第一二极管VD1;

所述第二电阻R4与第一二极管VD1串联后与第一电阻R5并联,其中一个并联端通过驱动芯片U1,与PWM信号相连,用作所述主电路开关管驱动电路的输入端,另一个并联端用作所述主电路开关管驱动电路的输出端。

4.如权利要求2或3所述的驱动电路,其特征在于,所述光耦隔离电路的输出端与反相器的输入端之间串联有第三电阻R8;其串联端通过第二二极管VD2与主电路开关管的源极相连。

5.如权利要求4所述的驱动电路,其特征在于,所述第三电阻R8阻值为10K,所述第二二极管VD2采用型号为IN4148的高速开关二极管。

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