[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

半导体衬底，其具有第一面；

绝缘隔离构造，其配置在所述第一面侧，且由具有第一深度的绝缘体构成；以及

栅极电极，

所述半导体衬底具有：源极区域，其与所述第一面相接地配置；漏极区域，其与所述第一面相接地配置；相反导电型区域，其与所述第一面相接地配置、且具有第二深度；体区域，其以包围所述源极区域的方式与所述第一面相接地配置；以及漂移区域，其以包围所述漏极区域及所述相反导电型区域、且在该漂移区域与所述源极区域之间夹持所述体区域的方式与所述第一面相接地配置，

所述源极区域、所述漂移区域及所述漏极区域是第一导电型，

所述体区域及所述相反导电型区域是与所述第一导电型相反的导电型即第二导电型，

所述相反导电型区域以在俯视时与所述栅极电极重合的方式配置在所述源极区域以及所述漏极区域之间，并且所述相反导电型区域与所述源极区域电连接，

所述绝缘隔离构造配置在所述漏极区域与所述相反导电型区域之间，

所述栅极电极与所述体区域的被所述源极区域和所述漂移区域夹持的部分绝缘且相对，

所述第一深度比所述第二深度深。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二深度为所述第一深度的0.3倍以上0.7倍以下。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述相反导电型区域的杂质浓度为所述漂移区域的杂质浓度的10倍以上。

4.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

半导体衬底，其具有第一面和作为所述第一面的相反面的第二面；

绝缘隔离构造，其配置在所述第一面侧，由绝缘体构成；以及

栅极电极，

所述半导体衬底具有：源极区域，其与所述第一面相接地配置；漏极区域，其与所述第一面相接地配置；相反导电型区域，其与所述第一面相接地配置；体区域，其以包围所述源极区域的方式与所述第一面相接地配置；以及漂移区域，其以包围所述漏极区域及所述相反导电型区域、且在该漂移区域与所述源极区域之间夹持所述体区域的方式与所述第一面相接地配置，

所述源极区域、所述漂移区域及所述漏极区域为第一导电型，

所述体区域及所述相反导电型区域为与所述第一导电型相反的导电型即第二导电型，

所述相反导电型区域以在俯视时与所述栅极电极重合的方式配置在所述源极区域以及所述漏极区域之间，并且所述相反导电型区域与所述源极区域电连接，

所述半导体衬底具有配置在所述漏极区域与所述相反导电型区域之间且从所述第一面向所述第二面延伸的槽，

所述栅极电极与所述体区域的被所述源极区域和所述漂移区域夹持的部分绝缘且相对，

所述绝缘隔离构造由所述槽、和填充于所述槽中的所述绝缘体构成。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述槽的侧壁与所述第一面所成的角度即锥角为75°以上90°以下。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述绝缘隔离构造具有第一深度，

所述相反导电型区域具有第二深度，

所述第一深度比所述第二深度深。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二深度是所述第一深度的0.3倍以上0.7倍以下。

8.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述相反导电型区域中的杂质浓度为所述漂移区域中的杂质浓度的10倍以上。