[发明专利]一种高压隔离电路在审
| 申请号： | 201711160626.9 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107799519A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 董志伟 | 申请（专利权）人： | 荣湃半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所11410 | 代理人： | 李波 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 隔离 电路 | ||
1.一种高压隔离电容，包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在所述衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。
2.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，每个相邻子隔离电容之间具有特定距离，以避免相邻子隔离电容之间发生击穿。
3.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，相邻子隔离电容的正极和负极极性交替地设置在所述衬底上。
4.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，相邻子隔离电容的正极和负极极性相同地设置在所述衬底上。
5.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，N为奇数。
6.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，N为偶数。
7.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，N为2-6个。
8.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，所述N个子隔离电容的电压相等。
9.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，所述衬底为SiO2，或者是生长在半导体衬底上的SiO2。
10.一种高压隔离变压器，包括：N个串联的子变压器，每个子变压器包括初级电感线圈和次级电感线圈，每个所述子变压器通过其初级电感线圈和次级电感线圈中的一个电感线圈设置在所述衬底上，而所述初级电感线圈和次级电感线圈中的另一个电感线圈远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。
11.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，每个相邻子变压器之间具有特定距离，以避免相邻子变压器之间发生击穿。
12.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，相邻子变压器的初级电感线圈和次级电感线圈交替地设置在所述衬底上。
13.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，所述初级电感线圈和次级电感线圈中的一个电感线圈通过两个平行的金属层设置在所述衬底上。
14.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，所述初级电感线圈和次级电感线圈中的另一个电感线圈设置在远离所述衬底的两个平行金属层上。
15.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，N为奇数。
16.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，N为偶数。
17.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，N为2-6。
18.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，所述N个子隔离电容的变压器的隔离电压相等。
19.根据权利要求10所述的高压隔离变压器，其中，所述衬底为SiO2，或者是生长在半导体衬底上的SiO2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
