[发明专利]氧化镓场效应晶体管在审
| 申请号： | 201711162584.2 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107742647A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;宋旭波;冯志红;周幸叶;王元刚;谭鑫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/812;H01L29/423 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王丽巧 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 场效应 晶体管 | ||
1.一种氧化镓场效应晶体管，其特征在于，包括，衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极，所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。
2.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述栅极与所述氧化镓沟道层形成肖特基接触。
3.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述栅极与所述氧化镓沟道层之间具有介质层，所述介质层全包围所述氧化镓沟道层。
4.如权利要求3所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述介质层的厚度小于或等于100纳米。
5.如权利要求3所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述介质层为SiO2层、AlN层、SiN层、Al2O3层、绝缘高阻Ga2O3层或其中两种或两种以上的组合。
6.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述氧化镓沟道层的厚度大于或等于10纳米且小于或等于2000纳米。
7.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述氧化镓沟道层为n型掺杂。
8.如权利要求7所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述氧化镓沟道层的掺杂浓度大于1×1016cm-3。
9.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述源极与所述氧化镓沟道层形成欧姆接触。
10.如权利要求1至9任一项所述的氧化镓场效应晶体管，其特征在于，所述漏极与所述氧化镓沟道层形成欧姆接触。
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