[发明专利]量子点复合颗粒及其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种量子点复合颗粒，所述量子点复合颗粒包括二氧化硅包覆量子点，以及结合在所述二氧化硅包覆量子点表面的金属纳米颗粒，其中，所述二氧化硅包覆量子点包括量子点以及包覆在所述量子点表面的二氧化硅层，且所述金属纳米颗粒与所述二氧化硅层通过‑S‑R₁‑SCH₂CH₂R₂‑Si(O‑)₃或(O‑)₃Si‑R₁‑SCH₂CH₂R₂‑Si(O‑)₃结合，R₁、R₂分别选自烃基或烃基衍生物。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点复合颗粒及其制备方法和应用。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，胶体半导体纳米晶(又称“量子点”)由于其特有的量子限域效应引起了研究者的广泛关注。与传统的有机发光染料相比而言，量子点具有激发光谱宽，发射光谱窄，发射波长可调，荧光效率高和光化学性能稳定等优势。此外，量子点的光学、电学和传输性能可以通过合成过程得以调整。这些优点使得量子点在新型显示领域具有十分重要的作用，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。然而，目前量子点的发光效率仍然不高，特别是蓝光量子点的发光效率较低，从而限制了蓝色QLED的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点复合颗粒及其制备方法，旨在解决现有量子点、特别是蓝光量子点的发光效率较低的问题。

本发明的另一目的在于提供一种QLED器件。

本发明是这样实现的，一种量子点复合颗粒，所述量子点复合颗粒包括二氧化硅包覆量子点，以及结合在所述二氧化硅包覆量子点表面的金属纳米颗粒，其中，所述二氧化硅包覆量子点包括量子点以及包覆在所述量子点表面的二氧化硅层，且所述金属纳米颗粒与所述二氧化硅层通过-S-R₁-SCH₂CH₂R₂-Si(O-)₃或(O-)₃Si-R₁-SCH₂CH₂R₂-Si(O-)₃结合，R₁、R₂分别选自烃基或烃基衍生物。

相应的，一种上述量子点复合颗粒的制备方法，包括以下步骤：

提供二氧化硅包覆量子点，所述二氧化硅包覆量子点包括量子点以及包覆在所述量子点表面的二氧化硅层，所述二氧化硅层的表面含有第一修饰剂，且所述第一修饰剂含有(O-)₃Si-R₂-CH₂＝CH₂，其中，R₂选自烃基或烃基衍生物；

提供金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒表面含有第二修饰剂，且所述第二修饰剂含有-S-R₁-SH或(O-)₃Si-R₁-SH，其中，R₁选自烃基或烃基衍生物；

将表面含有所述第二修饰剂的金属纳米颗粒与表面含有所述第一修饰剂的二氧化硅包覆量子点混合，使所述二氧化硅包覆量子点与所述金属纳米颗粒之间通过所述第一修饰剂与所述第二修饰剂反应形成的-S-R₁-SCH₂CH₂R₂-Si(O-)₃或(O-)₃Si-R₁-SCH₂CH₂R₂-Si(O-)₃结合，得到量子点复合颗粒。